[发明专利]超低压力降流动感测器无效

专利信息
申请号: 201110038560.2 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN102128657A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: J·W·斯佩尔德里奇 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01F5/00 分类号: G01F5/00;G01F1/46;G01F1/684
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 崔幼平;谭祐祥
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 压力 流动 感测器
【权利要求书】:

1.一种用于检测经过流体通路的流体流动的流体速度感测器,包括:

延伸到流体通路中的壳体,该壳体限定内部流动通道;

暴露于所述壳体的所述内部流动通道的MEMS流动感测器,该MEMS流动感测器被构造成检测流经壳体的所述内部流动通道的流体的流率;以及

形成于所述壳体中并且暴露于流经流体通路的流体的至少一个上游分接头,其中所述至少一个上游分接头通向所述壳体中的所述内部流动通道,该内部流动通道将所述流体的流动引导到所述MEMS流动感测器,使得所述流体在经过所述MEMS流动感测器之后继续在低阻力路径上流动到达至少一个下游分接头,所述至少一个下游分接头在一个或多个所述上游分接头的下游形成于所述壳体中并且暴露于流经流体通路的流体。

2.如权利要求1所述的流体速度感测器,还包括与所述壳体相关联的至少一个流动整直器。

3.如权利要求2所述的流体速度感测器,其中所述至少一个流动整直器包括由狭窄的、伸长的突起构成的形状,其有助于阻止引起压力不稳定的流动漩涡。

4.一种用于检测经过由流动通道壁限定的流动通道的流体流动的流体流动感测器,包括:

从流动通道壁延伸并且进入到流动通道中的壳体,该壳体限定内部流动通道;

暴露于所述壳体的所述内部流动通道的MEMS流动感测器,该MEMS流动感测器被构造成检测流经壳体的所述内部流动通道的流体的流率;以及

形成于所述壳体中并且暴露于流经流动通道的流体的至少一个上游分接头,其中所述至少一个上游分接头通向所述壳体中的所述内部流动通道,该内部流动通道将所述流体的流动引导到所述MEMS流动感测器,使得所述流体在经过所述MEMS流动感测器之后继续在低阻力路径上流动到达至少一个下游分接头,所述至少一个下游分接头在一个或多个所述上游分接头的下游形成于所述壳体中并且暴露于流经流体通路的流体。

5.一种用于感测经过流体通路的流体流动的方法,包括:

使至少一个上游分接头暴露于流经流体通路的流体;

使至少一个下游分接头暴露于流经流体通路的流体,其中所述至少一个下游分接头在所述至少一个上游分接头的下游;

将流体的流动从所述至少一个上游分接头引导到内部流动通道,该内部流动通道将所述流体的流动引导到MEMS流动感测器,使得所述流体在经过所述MEMS流动感测器之后继续在低阻力路径上流动到达所述至少一个下游分接头;以及

使用MEMS流动感测器测量经过内部流动通道的流体的流动,其中经过内部流动通道的流体的流动与经过流体通路的流体流动相关。

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