[发明专利]用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法

权利要求书

1.一种带有多个嵌入式播散电势的电容性结构的终止结构，用于终止沿一体型半导体层的顶面分布的半导体器件有源区，其特征在于，所述的体型半导体层具有一个近端体型半导体壁；所述的近端体型半导体壁将所述的终止结构与所述的半导体器件有源区分开；

所述的终止结构包含一个被所述的近端体型半导体壁和一个远端体型半导体壁限制的氧化物填充的大型深沟槽构，其中所述的氧化物填充的大型深沟槽还包含：一个在所述的体型半导体层内的大型氧化物深沟槽，沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD；

以及多个嵌入式电容性结构，位于所述的大型氧化物深沟槽内，并且有序分布在所述的近端体型半导体壁和所述的远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散器件电压。

2.根据权利要求1所述的终止结构，其特征在于，其中所述的半导体器件有源区是一个沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET具有位于上部的第一电极和下部的第二电极之间的漏极-源极电压，其中所述的终止结构在水平方向上承载所述的漏极-源极电压。

3.根据权利要求1所述的终止结构，其特征在于，其中所述的嵌入式电容性结构包含一套交叉的导电嵌入式多晶半导体区和设置在所述的氧化物填充的大型深沟槽内的氧化物立柱。

4.根据权利要求1所述的终止结构，其特征在于，其中位于所述的近端体型半导体壁附近的近端嵌入式多晶半导体区电连接到顶部电极上。

5.根据权利要求4所述的终止结构，其特征在于，其中位于所述的远端体型半导体壁附近的远端嵌入式多晶半导体区电连接到远端体型半导体壁上。

6.根据权利要求3所述的终止结构，其特征在于，其中每个所述的氧化物立柱的中心部分还嵌入了一个指状体型半导体，从所述的氧化物填充的大型深沟槽下方的所述的体型半导体层发射出来，以便用体型半导体层材料、所述的氧化物立柱材料以及所述的嵌入式多晶半导体区材料，形成多个三相交叉的嵌入式电容性结构。

7.根据权利要求6所述的终止结构，其特征在于，延伸至少一个所述的嵌入式多晶半导体区，使其沿垂直于TCS和TCD的第三维度上穿过所述的大型氧化物深沟槽；

延伸至少一个所述的指状体型半导体，使其沿第三维度上穿过所述的大型氧化物深沟槽；并且相对应地，所述的终止结构还包含一个位于所述的氧化物填充的大型深沟槽上方的顶部电性的互联网路，与延伸后的所述的嵌入式多晶半导体区以及延伸后的所述的指状体型半导体相接触，以便作用于延伸后的所述的嵌入式多晶半导体区；

延伸后的所述的指状体型半导体与所述的终止结构的其他部件之间的预设所需的电性互联。

8.根据权利要求6所述的终止结构，其特征在于，与所述的近端体型半导体壁最邻近的嵌入式多晶半导体区电连接到顶部电极上；

与所述的近端体型半导体壁次最邻近的嵌入式多晶半导体区电连接到近端体型半导体壁上；并且后续的每个嵌入式多晶半导体区都电连接到其次最近的近端指状体型半导体。

9.一种制备带有终止结构的半导体器件的方法，该终止结构是一种氧化物填充的大型深沟槽，沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD，内部带有多个嵌入式导电区域，其特征在于，该方法包含：

a制备一个厚度为BSLT＞TCD的体型半导体层，在所述的体型半导体层上方，设计出一个大型深沟槽顶部区域，其几何形状与所述的氧化物填充的大型深沟槽的几何形状近似相同；

b将所述的大型深沟槽顶部区域分成散布的、互补的临时区ITA-A和ITA-B，每个临时区都有预设的几何形状；

c从体型半导体层顶部表面，通过除去对应的ITA-B区的体型半导体材料，直到深度TCD为止，创建多个临时的垂直沟槽；

d将对应ITA-A区的体型半导体材料转换成氧化物立柱，保留中间的多个剩余沟槽空间；并且

e用沟槽导电材料填充剩余的沟槽空间，并在转换后的氧化物立柱之间，将沟槽导电材料做成多个嵌入式导电区域的形状。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述的沟槽导电材料是由多晶半导体材料构成的。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，其中将多晶半导体材料做成多个嵌入式导电区域的形状，还包含：

e1在上方沉积绝缘材料，直到它与所述的氧化物立柱一起把所述的多晶半导体材料嵌入其中。