[发明专利]能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装有效

专利信息
申请号: 201110038739.8 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102163579A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 李喜哲;郑命杞;廉根大 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/498
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 能够 减小 焊剂 之间 高度 栅格 阵列 封装
【说明书】:

技术领域

发明构思涉及一种具有小厚度的半导体封装,更具体地,涉及一种焊盘栅格阵列(land grid array,LGA)封装,其中形成在LGA封装的基板上的阻焊剂(solder resist)与焊盘(land)之间的高度差减小了。

背景技术

作为移动系统,其上安装半导体封装的便携式计算机等变得更小且更薄,半导体封装本身也变得更小且更薄。在这些半导体封装中,焊盘栅格阵列(LGA)封装具有类似于球栅阵列(BGA)封装的结构,除了焊球不附着到LGA封装以外。

因此,LGA封装可以比BGA封装小并可以安装在印刷电路板(PCB)上而不使用包含对人体有害的铅的焊球。而是,通过使用无铅膏(lead free paste)来形成这些连接。因此,在那些出于环境考虑而限制某些半导体封装产品的使用的国家,LGA封装作为对环境友好的“绿色”产品已经引起关注。

此外,由于其可靠性,由英特尔公司(Intel Corporation)或超微半导体公司(Advanced Micro Devices)制造的微处理器使用LGA封装作为物理接口。与其他半导体封装相反,LGA封装的焊盘端子能够自由布置,并且当LGA封装安装在PCB上时,LGA封装的高度可以小于其他半导体封装的高度。

然而,由于形成在LGA封装的基板上的阻焊剂与焊盘端子之间的高度差,LGA封装中的半导体芯片容易受到损伤。因此,需要减小该高度差。

发明内容

本发明构思的示范性实施例提供一种焊盘栅格阵列(LGA)封装,其能够减小设置在LGA封装的基板的下部分上的阻焊剂与焊盘之间的高度差。

本发明构思的示范性实施例还提供一种半导体封装,其能够减小设置在半导体封装的基板的下部分上的阻焊剂与焊盘之间的高度差。

本发明构思的示范性实施例还提供一种包括该LGA封装的电子器件。

根据本发明构思的示范性实施例,提供一种焊盘栅格阵列封装,包括:基板,该基板包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘;半导体芯片,安装在基板的第二表面上;连接部分,连接半导体芯片和基板;以及支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

支撑层可以包括阻焊剂。支撑层的高度可以等于或小于形成在基板的第一表面上的阻焊剂的高度。

支撑层可以包括允许测试端子接触第一焊盘的敞开空间。支撑层可以连接到形成在基板的第一表面上的阻焊剂。支撑层可以不连接到形成在基板的第一表面上的阻焊剂。支撑层可以包括多个分离的层。支撑层可以通过连接多个分离的层而形成。

第一焊盘的被阻焊剂敞开的宽度可以约为0.7mm或更大。半导体芯片可以具有约50μm至约150μm的厚度。连接部分可以是导线。

LGA封装还可以包括密封基板的第二表面和半导体芯片的密封构件。

根据本发明构思的示范性实施例,提供了一种半导体封装,包括:基板,该基板包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘;半导体芯片,安装在基板的第二表面上;密封构件,密封基板的第二表面和半导体芯片;以及支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

支撑层可以包括阻焊剂。支撑层的高度可以等于或小于形成在基板的第一表面上的阻焊剂的高度。

第一焊盘的被阻焊剂敞开的宽度可以为约0.7mm或更大。半导体芯片可以具有约50μm至约150μm的厚度。

根据本发明构思的示范性实施例,提供了一种电子器件,包括:印刷电路板(PCB),用于驱动电子器件;和安装在PCB上的焊盘栅格阵列(LGA)封装,其中所述LGA封装包括:基板,该基板包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘;半导体芯片,安装在基板的第二表面上;密封构件,密封基板的第二表面和半导体芯片;连接部分,连接半导体芯片和基板;以及支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

支撑层可以包括阻焊剂。支撑层的高度可以等于或小于形成在基板的第一表面上的阻焊剂的高度。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示范性实施例,本发明构思的上述和其他特征将变得更加明显,附图中:

图1是根据本发明构思的示范性实施例的焊盘栅格阵列(LGA)封装的截面图;

图2示出当图1的LGA封装中没有形成支撑层时的平面图和截面图;

图3是截面图,示出当压力施加到图1的LGA封装的外侧时半导体芯片中产生的损伤;

图4是用于模拟根据半导体芯片的厚度变化的半导体芯片中产生的应力的图示;

图5是用于模拟根据被阻焊剂敞开的焊盘的尺寸变化的半导体芯片中产生的应力的图示;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110038739.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top