[发明专利]膜堆叠和垂直磁记录盘

权利要求书

1.一种膜堆叠，包括：

具有表面的衬底；

双层籽结构，包括位于所述表面上并与所述表面接触的实质上由Si构成的层以及位于所述Si层上且与所述Si层接触的Au层，所述Au层具有(111)面基本平行于所述Au层的平面的基本fcc晶体结构；以及

位于所述Au层上的上层。

2.如权利要求1的膜堆叠，其中所述上层选自具有[111]方向基本垂直于所述Au层的(111)面取向的fcc晶体结构的材料和具有c轴基本垂直于所述Au层的(111)面取向的hcp晶体结构的材料。

3.如权利要求1的膜堆叠，其中所述Si层具有0.3和5nm之间的厚度。

4.如权利要求1的膜堆叠，其中所述Au层具有1和10nm之间的厚度。

5.如权利要求1的膜堆叠，其中所述双层籽结构具有小于5nm的厚度。

6.如权利要求1的膜堆叠，其中所述Si层是实质上由非晶Si构成的层。

7.如权利要求1的膜堆叠，其中所述衬底的表面是溅射蚀刻了的表面。

8.如权利要求1的膜堆叠，其中所述上层是颗粒Co合金层。

9.如权利要求8的膜堆叠，其中所述上层是铁磁颗粒CoPt合金层。

10.如权利要求1的膜堆叠，其中所述上层是一多层的最下层，所述多层选自Co/Pt、Co/Pd和Co/Ni多层。

11.如权利要求1的膜堆叠，其中所述衬底是导磁材料的衬层，所述导磁材料选自包括合金CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFe和CoZrNb的组。

12.如权利要求1的膜堆叠，其中所述衬底是具有hcp晶体结构的铁磁颗粒CoPt合金的第一CoPt合金层且c轴基本垂直于所述第一CoPt合金层的层平面取向，所述上层是具有hcp晶体结构的铁磁颗粒CoPt合金的第二CoPt合金层且c轴基本垂直于所述Au层的(111)面取向，所述双层籽结构包括位于所述第一和第二CoPt合金层之间并与之接触的用于磁去耦所述第一和第二CoPt合金层的间隔层。

13.如权利要求1的膜堆叠，其中所述衬底是选自Co/Pt、Co/Pd和Co/Ni多层中的第一多层的最上层，所述上层是选自Co/Pt、Co/Pd和Co/Ni多层中的第二多层的最下层，所述双层籽结构包括位于所述第一多层和第二多层之间的用于磁去耦所述第一多层和第二多层的间隔层。

14.一种垂直磁记录盘，包括：

具有表面的衬底；

在所述衬底的表面上的导磁材料的衬层；

垂直磁记录层；以及

交换中断层，位于所述衬层和所述垂直磁记录层之间以用于磁去耦所述垂直磁记录层和所述衬层，所述交换中断层包括位于所述衬层上且与所述衬层接触的Si层以及位于所述Si层上且与所述Si层接触的Au层，所述Au层包括具有(111)面基本平行于所述Au层的平面的基本fcc晶体结构的晶粒。

15.如权利要求14的垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层选自具有[111]方向基本垂直于所述Au层的(111)面取向的fcc晶体结构的材料和具有c轴基本垂直于所述Au层的(111)面取向的hcp晶体结构的材料。

16.如权利要求15的垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层包括铁磁颗粒CoPt合金层。

17.如权利要求15的垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层包括选自Co/Pt、Co/Pd和Co/Ni多层中的多层。

18.如权利要求14的垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层构图为垂直磁记录材料的离散的间隔开的位。

19.如权利要求14的垂直磁记录盘，其中所述垂直磁记录层与所述Au层直接接触。

20.如权利要求14的垂直磁记录盘，还包括位于所述Au层和所述垂直磁记录层之间并与之接触的中间层，所述中间层选自具有[111]方向基本垂直于所述Au层的(111)面取向的fcc晶体结构的材料和具有c轴基本垂直于所述Au层的(111)面取向的hcp晶体结构的材料。