[发明专利]用于凹陷的半导体基底的技术和配置

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与所述第一表面相反地布置的第二表面；

在所述半导体基底的所述第一表面上形成电介质膜；

在所述电介质膜上形成再分布层；

将一个或多个裸片电耦合到所述再分布层；

在所述半导体基底上形成模塑料；

使所述半导体基底的所述第二表面凹陷；

形成通过所述半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露所述再分布层；以及

在所述一个或多个沟道中形成一个或多个封装互连结构，所述一个或多个封装互连结构被电耦合到所述再分布层，所述一个或多个封装互连结构用以路由所述一个或多个裸片的电信号。

2.根据权利要求1的方法，其中所述再分布层通过在所述电介质膜上沉积导电材料而形成。

3.根据权利要求1的方法，其中所述一个或多个裸片以倒装芯片配置耦合到所述再分布层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述模塑料通过将电绝缘材料沉积为实质上封住所述一个或多个裸片而形成。

5.根据权利要求1的方法，其中所述半导体基底通过研磨工艺或蚀刻工艺被凹陷。

6.根据权利要求1的方法，其中所述半导体基底是凹陷的，从而使得所述半导体基底所具有的厚度在大约50微米与大约300微米之间。

7.根据权利要求1的方法，其中所述一个或多个沟道是通过如下方式形成的：

选择性地移除所述半导体基底的半导体材料；以及

选择性地移除所述电介质膜的电介质材料。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在所述一个或多个沟道中形成一个或多个球下金属化(UBM)结构，所述一个或多个UBM结构被形成在(i)通过形成所述一个或多个沟道而暴露的所述再分布层和(ii)所述一个或多个沟道内的所述半导体基底上，其中所述一个或多个封装互连结构耦合到所述一个或多个UBM结构。

9.根据权利要求1的方法，其中所述一个或多个封装互连结构包括通过(i)丝网印刷、(ii)电镀以及(iii)焊球放置中的至少一个而形成的焊球。

10.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在(i)所述一个或多个裸片与(ii)所述半导体基底之间形成底部填充层。

11.根据权利要求1的方法，其中在形成所述模塑料之后形成所述一个或多个沟道；以及

所述模塑料用作机械载体以在所述半导体基底的所述第二表面被凹陷时支撑所述半导体基底。

12.一种装置，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与所述第一表面相反地布置的第二表面；

形成在所述半导体基底的所述第一表面上的电介质膜；

形成在所述电介质膜上的再分布层；

电耦合到所述再分布层的一个或多个裸片；

形成在所述半导体基底上的模塑料；

形成为通过所述半导体基底的所述第二表面的一个或多个沟道；以及

沉积在所述一个或多个沟道中的一个或多个封装互连结构，所述一个或多个封装互连结构通过所述一个或多个沟道电耦合到所述再分布层，以路由所述一个或多个裸片的电信号。

13.根据权利要求12的装置，其中所述一个或多个裸片使用一个或多个凸点以倒装芯片配置耦合到所述再分布层。

14.根据权利要求12的装置，其中所述模塑料实质上封住所述一个或多个裸片。

15.根据权利要求12的装置，其中所述半导体基底的所述第二表面是凹陷的，从而使得所述半导体基底所具有的厚度在大约50微米与大约300微米之间。

16.根据权利要求12的装置，进一步包括：

形成在所述一个或多个沟道中的一个或多个球下金属化(UBM)结构，所述一个或多个UBM结构形成在(i)所述再分布层和(ii)所述一个或多个沟道内的所述半导体基底上，其中所述一个或多个封装互连结构耦合到所述一个或多个UBM结构。

17.根据权利要求12的装置，进一步包括：

形成在(i)所述一个或多个裸片与(ii)所述半导体基底之间的底部填充层。