[发明专利]防反射膜有效
申请号: | 201110038993.8 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102162864A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 长谷川卓司;匹田真也 | 申请(专利权)人: | 日油株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;C09D4/02;C09D4/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 | ||
技术领域
本发明涉及一种适用于诸如等离子显示屏(PDP)、液晶显示屏(LCD)等电子显示器的防反射膜,其为单层结构,具有充分的防反射性能和优异的防静电性能。
背景技术
近年来,等离子显示屏、液晶显示屏等电子图像显示装置(电子显示器)在电视、监视器中的应用,取得了显著进步并得到广泛普及。这些电子图像显示装置随着大型化,会产生由于外部光线的映入而使可视性降低的问题。因此,通常采用在显示器表面贴附将防反射层层叠到透明基膜表面上的防反射膜来提高可视性的方法。
进而,为了防止因静电造成灰尘等附着到显示器表面,要求防反射膜具有防静电性能。例如,已知的有设置由中空二氧化硅微粒与多官能(甲基)丙烯酸酯构成的低折射率层而得到的防反射膜(参见专利文献1)。专利文献1所述的防反射膜,虽然防反射性能优异,但为了赋予其防静电性能,需要在透明基膜与低折射率层之间设置具有防静电性能的硬涂层或防静电层。涂布次数增加,结果使防反射膜的生产率降低。
π共轭导电性高分子通过掺杂掺杂剂显示出良好的导电性,因此常用做各种防静电剂、电极材料等工业材料。例如,已知有含有由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物、及多官能(甲基)丙烯酸酯的涂层剂组合物(参见专利文献2)。
但是,由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物,其折射率约为1.5,折射率高,因此不适合作为用来形成低折射率层的材料,而专门用做用于形成高折射率层的材料。因此,在想要赋予防反射膜防静电性能和防反射性能这两个性能时,需要在含有由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物、及多官能(甲基)丙烯酸酯的涂层(高折射率层)上设置至少一层防反射层。此时,由于涂布次数增加,因此生产率降低。并且还要求防反射膜在其制造时、使用时具有充分的耐热性和耐擦伤性。
现有技术文献
专利文献1:日本专利特开2005-99778号公报
专利文献2:日本专利特开2008-222850号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种以单层结构就具有充分的防反射性能和优异的防静电性能,同时具有优异的耐热性及耐擦伤性的防反射膜。在本说明书中,所谓“单层结构”这一技术术语是指层叠到透明基膜上的层为一层。
为了实现所述目的,本发明的一种实施方案是提供一种在透明基膜上直接层叠低折射率层而构成的防反射膜。所述低折射率层为低折射率层用涂布液的固化物,所述低折射率层用涂布液含有(a)多官能(甲基)丙烯酸酯、(b)中空二氧化硅微粒及(c)由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物;相对于每100质量份(a)多官能(甲基)丙烯酸酯,(b)中空二氧化硅微粒为40~250质量份及(c)由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物为1~25质量份;同时,(c)由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物中,π共轭导电性高分子与掺杂剂的质量比设定为1∶1~1∶5。
基于低折射率层的功能而表现出防反射作用,通过将防反射膜贴合到等离子显示屏、液晶显示屏等电子图像显示装置的显示器表面,能够抑制从荧光灯等外部光源照射的光线的反射,提高可视性。同时,由于低折射率层中含有由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物,因此表现出防静电作用,通过将防反射膜贴合到电子图像装置的显示器表面,能够抑制因静电造成灰尘等附着到显示器表面。另外,主要基于(a)多官能(甲基)丙烯酸酯的固化物所具有的性质,能够提高防反射膜的耐擦伤性。
再加上,(c)由π共轭导电性高分子与掺杂剂构成的复合物中,π共轭导电性高分子与掺杂剂的质量比设定为1∶1~1∶5,因此能够表现出良好的导电性,同时还能够发挥出良好的耐热性。
在优选的例子中,所述π共轭导电性高分子为聚噻吩类聚合物。此时,在π共轭导电性高分子含量较少的条件下,防反射膜就能够表现出良好的导电性。
在优选的例子中,所述聚噻吩类聚合物为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。此时,在π共轭导电性高分子含量更少的条件下,防反射膜就能够表现出良好的导电性,且材料能够容易地得到。
在优选的例子中,所述π共轭导电性高分子为聚吡咯类或聚苯胺类聚合物。此时,在π共轭导电性高分子含量较少的条件下,防反射膜就能够表现出良好的导电性。
在优选的例子中,所述掺杂剂为多聚阴离子。此时,在π共轭导电性高分子含量较少的条件下,防反射膜就能够表现出良好的导电性。
在优选的例子中,多聚阴离子为聚苯乙烯磺酸。此时,在π共轭导电性高分子含量较少的条件下,防反射膜就能够表现出良好的导电性。此外,从容易获得的角度看,也优选聚苯乙烯磺酸。
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