[发明专利]盐和含有该盐的光致抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及盐和含有该盐的光致抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大阳图型光致抗蚀剂组合物包含含有通过辐照产生酸的化合物的酸生成剂。

US2007/0100096A1公开了一种由下式表示的盐，

和

一种含有该盐作为酸生成剂的光致抗蚀剂组合物。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种新型的盐和一种含有该盐的光致抗蚀剂组合物。

本发明涉及下列各项：

<1>一种由式(I)表示的盐：

其中R¹和R²各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，X¹表示C1-C17二价饱和烃基，所述C1-C17二价饱和烃基可以具有一个或多个氟原子，并且其中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，R³表示具有环醚结构的基团，并且Z¹⁺表示有机阳离子；

<2>根据<1>所述的盐，其中R³表示由式(IA)或(IE)表示的基团：

其中R⁴在每次出现时均独立地为C1-C12饱和烃基或C6-C18芳族烃基，并且所述饱和烃基和所述芳族烃基可以具有一个或多个选自由C1-C6烷基和硝基组成的组中的取代基，且所述饱和烃基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-代替，u1表示0至8的整数，s1表示1至4的整数，t1表示0至2的整数，条件是s1和t1之和为1至4的整数，

R⁵在每次出现时均独立地为羟基，卤素原子，C1-C6烷基，C1-C6烷氧基，C 1-C6羟烷基，C2-C7酰基，C2-C7酰氧基或C2-C7酰氨基，并且R⁵中的两个可以相互结合以形成单键或环，u2表示0至16的整数，s11表示1至4的整数，t11表示0至2的整数，s12表示1至4的整数，t12表示0至2的整数，条件是s12和t12之和为1至4的整数，并且*表示与-X¹-的结合位置；

<3>根据<1>或<2>所述的盐，其中由式(I)表示的盐是由式(II)表示的盐：

其中R¹，R²，R⁴，X¹，s1，t1，u1和Z¹⁺具有与上面定义相同的含义；

<4>根据<1>、<2>、<3>所述的盐，其中X¹是*-CO-O-CH₂-，其中*表示与-C(R¹)(R²)-的结合位置；

<5>根据<1>至<4>中任何一项所述的盐，其中Z¹⁺是三芳基锍阳离子；

<6>一种酸生成剂，其包含根据<1>至<5>中任何一项所述的盐；

<7>一种光致抗蚀剂组合物，其包含根据<6>所述的酸生成剂和树脂；

<8>根据<7>所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元，不溶或难溶于碱性水溶液但是通过酸的作用而变得可溶于碱性水溶液；

<9>根据<7>或<8>所述的光致抗蚀剂组合物，所述的光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物；

<10>一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(1)至(5)：

(1)将根据<7>至<9>中任一项所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在基底上的步骤，

(2)通过进行干燥以形成光致抗蚀剂膜的步骤，

(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，

(4)将曝光后的光致抗蚀剂膜进行烘焙的步骤，和

(5)用碱性显影液将烘焙后的光致抗蚀剂膜显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。

具体实施方式

本发明的盐由式(I)表示：