[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110039615.1 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646588A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上包括第一区、第二区以及所述第一区和第二区之间的元件隔离区；
在所述第一区上形成第一虚设栅极，在所述第二区上形成第二虚设栅极；
在所述第一区和第二区同时形成源区、漏区，并对所述源区、漏区进行金属化制程；
在所述第一区和第二区表面分别形成第一应力衬垫层、第二应力衬垫层；
在所述半导体衬底表面沉积氧化层，所述氧化层的厚度大于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；
进行第一次化学机械研磨，停止于所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层上表面；
刻蚀所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层及所述氧化层，直至露出所述第一虚设栅极、第二虚设栅极上表面，刻蚀结束后，所述氧化层高于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；
去除所述第一虚设栅极、第二虚设栅极，形成第一栅槽、第二栅槽；
在所述第一栅槽中形成第一栅极、在所述第二栅槽中形成第二栅极。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的材质为多晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述源区、漏区进行金属化制程步骤中，采用溅射法向所述源区、漏区上沉积金属离子，并对所述半导体衬底进行高温加热工艺，形成金属化硅。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属离子为镍，钴或钼。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层及所述氧化层的步骤中，所述刻蚀方法为干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀采用三氟化氮等离子体刻蚀法，所述湿法刻蚀采用酸刻蚀法。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层的材质为氮化硅。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一应力衬垫层为拉应力，应力大小为0.1GPa～2GPa；所述第二应力衬垫层的应力为压应力，应力大小为0.1GPa～4GPa。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层的应力均为拉应力，应力大小为0.1GPa～2GPa。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第一栅极、第二栅极的步骤具体包括：
沉积金属或金属硅化物，填充所述第一栅槽、第二栅槽；
进行第二次化学机械研磨，停止于第一应力衬垫层、第二应力衬垫层上表面。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一栅极、第二栅极的材质为金属或金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
