[发明专利]三维层叠半导体集成电路及其穿通硅通孔修复方法

权利要求书

1.一种三维3D层叠半导体集成电路，所述3D层叠半导体集成电路具有经由多个穿通硅通孔TSV而耦接的多个芯片，其中，

所述多个芯片中的第一芯片被配置为检测并修复所述多个TSV中的缺陷TSV，并将修复信息传送到除所述第一芯片外的其余芯片，并且

除第一芯片外的所述其余芯片被配置为响应于所述修复信息来修复所述缺陷TSV。

2.如权利要求1所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述第一芯片被配置为经由所述多个TSV中的没有缺陷的TSV而将所述修复信息传送到所述其余芯片。

3.如权利要求1所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述第一芯片被配置为经由与所述缺陷TSV相邻的TSV而将所述修复信息传送到所述其余芯片。

4.如权利要求1所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述修复信息是经由用于数据传输的TSV来传送的。

5.如权利要求1所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述第一芯片包括：

测试模块，所述测试模块被配置为接收流经各个所述TSV的电流，检测所述缺陷TSV，并基于检测结果而产生修复信号；

编码器，所述编码器被配置为对所述修复信号进行编码并产生编码信号；以及

发送器/接收器，所述发送器/接收器被配置为根据所述修复信号而用正常TSV来替换所述缺陷TSV，然后将所述编码信号传送到所述其余芯片。

6.如权利要求5所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述测试模块和所述编码器被配置为在测试信号的激活时间段期间操作。

7.如权利要求6所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述测试模块包括：

比较单元，所述比较单元被配置为响应于所述测试信号的激活，而将通过将电流信号进行转换而获得的电压与参考电压进行比较并产生比较信号；

检测单元，所述检测单元被配置为根据脉冲信号而顺序地接收流经各个所述TSV的电流，将所接收的电流输出作为所述电流信号，并响应于所述比较信号而产生用于确定所述缺陷TSV的检测信号；以及

修复信号发生单元，所述修复信号发生单元被配置为响应于所述检测信号而产生所述修复信号。

8.如权利要求7所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述比较单元被配置为当所述测试信号被去激活时，将所述电流信号输出到所述第一芯片的外部。

9.如权利要求7所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述检测单元被配置为在检测时间段信号的激活时间段期间当所述比较信号被激活时，将所述检测信号激活。

10.如权利要求7所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述修复信号发生单元被配置为将与所述检测信号的信号比特中在被激活的信号比特之后的比特相对应的所述修复信号的信号比特激活。

11.如权利要求5所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述发送器/接收器包括：

发送器，所述发送器被配置为响应于所述修复信号而经由两个相邻的TSV中的任一个来传送输入信号；以及

接收器，所述接收器被配置为响应于所述修复信号而接收经由两个相邻的TSV所传送的信号中的一个。

12.如权利要求1所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述其余芯片中的层叠在最上面位置的第二芯片被配置为向所述多个TSV提供电流。

13.如权利要求12所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述第二芯片包括被配置为耦接外部电流源的焊盘。

14.如权利要求12所述的3D层叠半导体集成电路，其中，所述第二芯片包括：

发送器/接收器，所述发送器/接收器被配置为接收所述修复信息，将接收的所述修复信息传送到内部全局线，并响应于修复信号而用正常TSV来替换所述缺陷TSV；以及

译码器，所述译码器被配置为对经由所述内部全局线传送的修复信息进行译码，并产生所述修复信号。