[发明专利]半导体设备用高品质6061铝合金锻件制备方法

权利要求书

1.半导体设备用高品质6061铝合金锻件制备方法，以6061铝合金为加工对象，采用半连铸工艺制坯，双级均匀化工艺热处理，在压力机上进行锻造，锻造采用少火次、大锻比、低终锻温度的成形工艺，最后进行高温短时固溶和低温长时时效的热处理，获得性能优良的半导体设备用高品质6061铝合金锻件，具体包括如下步骤：

(1)半连铸工艺制取锻造铸坯；

(2)采用双级均匀化制度对铸坯进行热处理退火；

(3)在压力机上对热处理后的铸坯进行锻造成形为锻件；

(4)对锻件进行固溶时效处理，是采用高温短时固溶和低温长时时效的热处理工艺，获得半导体设备用高品质6061铝合金锻件。

2.根据权利要求1所述的半导体设备用6061铝合金锻件的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的双级均匀化制度，其中第一级温度为540～570℃，第二级温度为570～620℃。

3.根据权利要求1所述的半导体设备用6061铝合金锻件的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的锻造过程具体工艺如下：铸坯锻前加热温度为460～500℃；压力机砧板的预热温度为300～350℃；锻造火次最多不超过3次，采用2-3火次锻造时每一火次的镦粗锻比控制在4～6，采用一火锻造时锻造比控制在7～9之间；火次之间的保温温度在460～480℃之间，保温时间根据锻件厚度确定，5mm以下保温20min，锻件厚度每增加4mm，保温时间延长1min；锻造火次最多不超过3次；锻件的终锻温度控制在320～360℃之间。

4.根据权利要求1所述的半导体设备用6061铝合金锻件的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的固溶温度为520～540℃，锻件厚度在5mm以下保温45min，厚度每增加1mm，保温时间增加1min；人工时效保温温度为160～180℃，保温时间在16～25h之间。