[发明专利]光刻设备和器件制造方法无效

专利信息
申请号: 201110040146.5 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN102063023A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: P·P·J·伯克文斯;R·F·德格拉夫;P·M·M·里伯艾格特斯;R·范德汉姆;W·F·J·西蒙斯;D·J·M·迪艾克斯;F·J·J·杰森;P·W·斯考蒂斯;G-J·G·J·T·布兰德斯;K·斯蒂芬斯;H·H·A·兰姆彭斯;M·A·K·范力洛普;C·德麦特森艾尔;M·A·C·马兰达;P·J·W·斯普鲁伊藤伯格;J·J·A-M·沃斯特拉艾斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:

液体限制系统,所述液体限制系统配置用于将液体限制到投影系统和衬底之间,所述液体限制系统包括:

液体供给入口,所述液体供给入口配置用于以一部件朝向衬底和/或配置用于支撑衬底的衬底台引导液体的流动,和

提取出口,所述提取出口用于提取从液体供给入口经过其中的液体和来自液体限制系统的外部的气体中的至少一个,所述提取出口位于所述液体限制系统的第一表面中,所述第一表面比液体供给入口所在的第二表面更远离衬底和衬底台中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中所述第一表面和第二表面中的至少一个是大致平坦的。

3.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中所述第一表面和第二表面中的至少一个是大致平行于衬底和衬底台中的至少一个的顶表面的。

4.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中,在使用中,第一表面离开衬底和衬底台中的至少一个的距离是第二表面离开衬底和衬底台中的所述至少一个的距离的1/10到3倍。

5.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中所述提取出口位于液体限制系统的下侧中的主动部件相对于投影系统的光轴沿径向的最外侧的位置上。

6.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中,所述第一表面延伸到液体限制系统的平边。

7.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中,所述第一表面是液体限制系统的下表面中的凹陷的上壁。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的浸没式光刻设备,还包括控制器,所述控制器配置用于控制经过提取出口的提取以及以一定液面水平经过液体供给入口的液体的流动,以使得在使用中结合液体限制系统的下侧的几何尺寸,由经过液体入口的液体的流动在液体限制系统与衬底和衬底台中的至少一个之间产生的斥力大于由经过提取出口的流动在液体限制系统与衬底和衬底台中的至少一个之间产生的引力,而与液体限制系统与衬底和衬底台中的至少一个之间的位移无关。

9.一种浸没式光刻系统,所述浸没式光刻系统包括:

液体限制系统,所述液体限制系统配置用于将液体限制到投影系统和衬底的局部区域之间的空隙;

遮挡构件,所述遮挡构件能够位于与投影系统相对的液体限制系统的下侧上,以使得所述液体能够被液体限制系统限制;以及

凸起,所述凸起位于面对所述液体限制系统的遮挡构件的表面上,所述凸起的位置在与所述下侧相邻时对应于所述下侧中的液体供给出口,而不是对应所述下侧中的提取入口。

10.根据权利要求9所述的浸没式光刻设备,其中所述遮挡构件是盘形式的,并与所述设备的其余部分是可分离的。

11.一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:

液体限制系统,所述液体限制系统配置用于将液体限制到投影系统和衬底之间的空隙,所述液体限制系统包括供液体流动的导管,并且所述液体限制系统具有:

导管中的出口,所述导管配置用于将液体供给到所述空隙,所述出口位于所述导管的端部的中间;

流动约束件,所述流动约束件位于沿液体流动方向的所述出口中或者所述出口的下游处;以及

阀门,所述阀门位于所述导管中,以使得所述阀门可操作用于控制经过所述出口的液体的流量,并使得液体连续地流经所述导管。

12.一种器件制造方法,所述器件制造方法包括步骤:将图案化的辐射束经过采用液体限制系统限制在空隙中的液体投影到衬底上,其中所述液体限制系统包括:

液体供给入口,用一部件将液体的流动经过所述液体供给入口朝向衬底和配置用于支撑衬底的衬底台中至少一个引导,以及

提取出口,通过所述提取出口提取来自液体供给入口的液体和来自液体限制系统的外部的气体中的至少一个,所述提取出口位于液体限制系统的第一表面中,所述第一表面比液体供给入口所在的第二表面更远离衬底和衬底台中的至少一个。

13.一种在液体限制系统下面将衬底更换为另一个衬底的方法,所述方法包括步骤:

从液体限制系统下面相对移动第一衬底,并在所述液体限制系统下面移动遮挡构件,以使得所述遮挡构件上的凸起位于液体限制系统的下表面中的至少液体供给入口下面的位置上,而不是在液体限制系统的下侧中的提取出口下面的位置上;

从液体限制系统下面相对移动所述遮挡构件;以及

在所述液体限制系统下面移动第二衬底。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110040146.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top