[发明专利]节能减排低碳高稳定性高温超导材料制备工艺

权利要求书

1.本发明涉及一种高温超导体的制备工艺技术，其特征在于所述的高温超导材料工艺高温熔炼与活化烧结的新工艺结合，改变电子排列晶体结构。原材料在1050℃-1300℃熔化后重新排列到提高超导Tc和临界电流密度的新排列晶体结构，改变了其原来工艺生成的弱连接的结构，生成新的晶体结构，具有原子百分比为(稀元+金属原元)∶铜∶氧＝1∶1∶3相粉末材料，具有211相和“123”相相超导体。

2.根据权利要求1所述的高温超导体熔炼与活化烧结制备新工艺，其特征是晶界扩散蠕变，控制蠕变速度，体积扩散，表面扩散，晶界扩散以及蒸发凝聚控制物质迁移。剪切应变而轴向应变仍有致密度化应变，剪切应变速度速率与剪切应力是线性关系与晶粒尺寸的三分之一次方成正比关系。

3.根据权利要求所述的高温超导体熔炼与活化烧结制备新工艺，其特征在混合后950℃-980℃烧结24-35h，降温到950℃-980℃，保温是35-45h，降到室温，再研磨5小时，作子晶是预烧时间是12h-24h，降到1100℃-1107℃，保温到12-18分钟，降到1050℃-1110℃，以每小时1℃降温，子晶加入后，1045℃-1100℃保温0.5-1h。