[发明专利]基于一维纳米材料的光致场发射解调器

权利要求书

1.基于一维纳米材料的光致场发射解调器，包括：门电极(2)、衬底(3)、空腔(4)、电子收集基板(6)，其特征在于，还包括由一维纳米材料制作的阴极发射电极(1)，在空腔(4)的壁上设置有空隙(5)，空隙(5)为一个光学透明的窗口，激光可以以较少的损耗穿过空隙(5)，到达阴极发射电极(1)的表面，同时空隙(5)需要保持空腔(4)内外的真空隔离。

2.根据权利要求1所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，所述一维纳米材料是碳纳米管或者碳纳米纤维。

3.根据权利要求1所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，还包括真空内腔(9)，真空内腔(9)被空腔(4)包围，真空内腔(9)和空腔(4)可以为同一个容器，也可以分开，真空内腔(9)和空腔(4)之间放置电路系统或其他系统需要的组件。

4.根据权利要求3所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，真空内腔(9)的内壁上沉积吸附材料膜，用于吸附真空杂质/气体分子。

5.根据权利要求3所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，所述吸附材料膜的材料为钛。

6.根据权利要求1所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，阴极发射电极(1), 门电极(2), 衬底(3)共同构成基底(11)，基底(11)位于空腔(4)，连接基底(11)内组件的导线通过空腔(4)的接口引出到真空之外。

7.根据权利要求1所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，门电极(2)为一个铜制网格。

8.根据权利要求1所述的基于一维纳米材料的光致场发射解调器，其特征在于，衬底(3)为绝缘衬底，有一层导电层(12)用来连接阴极发射电极(1)到外围电路系统，门电极(2)与导电层(12)之间绝缘隔离，门电极(2)处于导电层(12)上方20微米处，基底(11)的直径为5毫米，电子收集基板(6)和门电极(2)的距离是1毫米。