[发明专利]一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201110040956.0 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102139879A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;吴浩;李锦堂;黄平平;傅翠梨;张蓉 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 合金 提纯 多晶 方法 | ||
1.一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将锡粉与工业硅混合后装入石墨坩埚内，其中锡粉的加入量按质量百分比为10％～50％，余为工业硅；
2)将装有锡粉与工业硅的石墨坩埚放入定向凝固炉中，再将其抽真空，将凝固炉内温度升至1480～1600℃，当温度升至100～800℃时通入保护气体；
3)将步骤2)中熔化后的锡粉与工业硅在1480～1600℃下保温3～5h；
4)将步骤3)中保温后的合金熔体以10～100℃/h的降温速率降温至1200～1350℃凝固得硅料；切除所得硅料下部的5％～30％，余下部分即为利用硅锡合金提纯的多晶硅。
2.如权利要求1所述的一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于在步骤2)中，所述抽真空，是抽真空至0.5～1Pa。
3.如权利要求1所述的一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于在步骤2)中，所述将凝固炉内温度升至1480～1600℃，是在2.5～4.5h内完成。
4.如权利要求1所述的一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于在步骤2)中，所述当温度升至100～800℃时通入保护气体，是调节凝固炉压力至0.1～0.15MPa。
5.如权利要求1所述的一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于在步骤2)中，所述保护气体为Ar。
6.如权利要求5所述的一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于在Ar中含有水蒸气2ppm，O21ppm，N24ppm。
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