[发明专利]基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线

权利要求书

1.基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于设有基底和SMA接头；

所述基底的上表面敷有上导体层，在上导体层上对称设有L型缝隙阵列，设在靠上导体层边的L型缝隙距离上导体层边为0.5～4mm，而相邻两条L型缝隙的间距为0.5～3mm，L型缝隙的宽度为0.5～3mm，L型缝隙的缝隙水平长度与竖直长度分别为2～18mm；所述基底的下表面敷有下导体层，所述下导体层作为接地板；所述SMA接头分别与基底的上导电层和接地板相连。

2.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述上导体层的长度为35～55mm，宽度为15～30mm，下导体层的长度为40～65mm，宽度为18～35mm。

3.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述上导体层为铜层或银层，所述下导体层为铜层或银层。

4.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述L型缝隙的缝隙水平长度与竖直长度分别为10～18mm、8～16mm，L型缝隙的总长为8～40mm。

5.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述L型缝隙阵列的水平缝隙与竖直缝隙之间的夹角为60～120。。

6.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述基底采用陶瓷介质基底。

7.如权利要求6所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述陶瓷介质基板的相对介电常数为9～25，最好为15.5。

8.如权利要求6或7所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述陶瓷介质基板的长度为40～65mm，宽度为18～35mm，厚度为1～4mm，所述陶瓷介质基板最好为25mm×50mm×2.5mm的长方体。

9.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述缝隙阵列对数为至少2对。

10.如权利要求1所述的基于缝隙阵列的北斗矩形陶瓷微带天线，其特征在于所述上导体层的主截面左上角正面靠边的这条L型缝隙距离上边为1～4mm，距离左边为1～4mm，在主截面左上角对称的右下角L型缝隙与邻边的距离分别为1～4mm；内外两条L型缝隙的间距为0.5～3mm。