[发明专利]多晶硅薄膜检查方法及其装置

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，具备：

光照射单元，其对在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射光；

摄像单元，其拍摄从被该光照射单元照射了光的所述多晶硅薄膜的表面产生的一阶衍射光的像；

图像处理单元，其对该摄像单元拍摄得到的所述一阶衍射光的像进行处理，检查所述多晶硅薄膜的结晶状态；以及

输出单元，其将该图像处理单元处理后的所述一阶衍射光的像与所述检查的结果的信息一同显示在画面上。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述光照射单元从垂直方向对所述基板照射光。

3.一种多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，具备：

光照射单元，其对在表面上形成了多晶硅薄膜的光学透明的基板，从该基板的一个面的一侧照射光；

摄像单元，其拍摄在所述基板的另一面的一侧产生的一阶衍射光的像，在所述基板的另一面的一侧产生的一阶衍射光的像通过该光照射单元从所述基板的一个面的一侧照射的光透过所述基板和所述多晶硅薄膜，在所述基板的另一面的一侧出射的光而产生；

图像处理单元，其对该摄像单元拍摄得到的所述一阶衍射光的像进行处理，检查所述多晶硅薄膜的结晶状态；以及

输出单元，其将该图像处理单元处理后的所述一阶衍射光的像与所述检查的结果的信息一同显示在画面上。

4.根据权利要求1或3所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述光照射单元对所述基板照射在一方向上为平行光，在与该一方向垂直的方向上会聚形成为长的形状的光。

5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述光照射单元对所述基板照射选择波长后的光。

6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述摄像单元具备偏振滤波器，所述摄像单元拍摄来自所述基板的反射光中的、透过了该偏振滤器的光所产生的一阶衍射光的像。

7.根据权利要求1或3所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述摄像单元具备空间滤波器，通过所述空间滤波器遮挡从所述基板表面的多晶硅薄膜产生的一阶衍射光的像中的、以恒定的间距形成的一阶衍射光的像，所述摄像单元拍摄未被该空间滤波器遮挡的一阶衍射光的像。

8.根据权利要求1或3所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述摄像单元具备波长选择滤波器，所述摄像单元通过该波长选择滤波器遮挡所述光照射单元照射的光以外的波长的光，来拍摄所述一阶衍射光的像。

9.根据权利要求1或3所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

所述光照射单元和所述摄像单元具有将所述基板的表面作为旋转中心，能够相对地变更相互的位置的结构。

10.根据权利要求1或3所述的多晶硅薄膜检查装置，其特征在于，

还具备放置所述基板，能够在XY平面内移动的平台单元。

11.一种多晶硅薄膜检查方法，其特征在于，

对在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射光，

拍摄从被照射了该光的所述多晶硅薄膜的表面产生的一阶衍射光的像，

对该拍摄得到的所述一阶衍射光的像的图像进行处理，检查所述多晶硅薄膜的结晶状态，

把处理该图像检查到的所述一阶衍射光的像与所述检查的结果的信息一同显示在画面上。

12.根据权利要求11所述的多晶硅薄膜检查方法，其特征在于，

从垂直方向对所述基板照射所述光。

13.一种多晶硅薄膜检查方法，其特征在于，

对在表面上形成了多晶硅薄膜的光学透明的基板，从该基板的一个面的一侧照射光，

拍摄在所述基板的另一面的一侧产生的一阶衍射光的像，在所述基板的另一面的一侧产生的一阶衍射光的像通过从该基板的一个面的一侧照射的光中的、透过所述基板和所述多晶硅薄膜，在所述基板的另一面的一侧出射的光而产生，

处理该拍摄得到的所述一阶衍射光的像，检查所述多晶硅薄膜的结晶状态，

把所述处理后的一阶衍射光的像与所述检查的结果的信息一同显示在画面上。