[发明专利]太阳能电池与其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110041337.3 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102646729A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 唐伟程;林景颖;杜庆豪;林纲正 申请(专利权)人: 茂迪股份有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 与其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,其特征在于,包含:

一半导体基板,具有相对的一第一表面和一第二表面;

一射极层,形成于该第一表面上,以形成一PN接面;

一阳极处理氧化铝层,形成于该第二表面上,其中该阳极处理氧化铝层具有数个纳米级孔洞;以及

一背面电极,形成于该阳极处理氧化铝层上,其中该背面电极的一部分是形成于该些纳米级孔洞中,以使该背面电极与该半导体基板电性连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包含一正面电极,形成于该射极层上。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,该正面电极的材质为银。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该些孔洞的直径是介于10纳米至500纳米间。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该背面电极的材质为铝或银、铝混合物。

6.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,至少包含:

提供一半导体基板,其中该半导体基板具有相对的一第一表面和一第二表面;

形成一射极层于该第一表面上,以形成一PN接面;

以阳极氧化铝处理技术来形成一阳极处理氧化铝层于该第二表面上,其中该阳极处理氧化铝层具有数个纳米级孔洞;以及

形成一背面电极于该阳极处理氧化铝层上,其中该背面电极的一部分是形成于该些纳米级孔洞中,以使该背面电极与该半导体基板电性连接。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,还包含形成一正面电极于该射极层上。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,形成该背面电极的步骤包含:

涂布一电极材料于该阳极处理氧化铝层上,并使该电极材料流入该些纳米级孔洞中;以及

硬化该电极材料来形成该背面电极。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,形成该阳极处理氧化铝层的步骤包含:

沉积一铝层于该半导体基板的该第二表面上;

对该铝层进行一第一阳极处理,以使该铝层一部分转变成一第一氧化铝层;

移除该第一氧化铝层;

对剩余的铝层进行一第二阳极处理,以使该剩余的铝层转变成一第二氧化铝层,其中该第二氧化铝层具有该些纳米级孔洞;以及

进行一蚀刻步骤,以利用一酸液来蚀刻该些纳米级孔洞,以使该些纳米级孔洞贯穿该第二氧化铝层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,该酸液为磷酸、草酸或硫酸。

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