[发明专利]三氯硅烷制造装置及制造方法有效
申请号: | 201110041339.2 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102161489A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 村上直也;斎木涉 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;杨楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 制造 装置 方法 | ||
1.一种三氯硅烷制造装置,是由包括四氯硅烷和氢的原料气体制造三氯硅烷的装置,其特征在于,
具备:
反应容器,具备大致筒状的壁体、将该壁体的上端封闭的顶板及将下端封闭的底板,由上述原料气体生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体;
多个加热器,设置在上述反应容器内,将上述原料气体加热;
在上述壁体的下部,设有用于将上述原料气体供给到被上述壁体、顶板、及底板包围的反应室的气体导入流路;
上述加热器具有沿上下方向延伸、被供电而发热的发热体、和固定在上述底板上、支承该发热体的下端的承受台;
在上述发热体上,沿着水平方向设有在其高度方向的中途位置且上述气体导入流路的上方配置的凸缘,
在相邻的上述加热器间,形成有由上述凸缘缩窄的上述原料气体的流路。
2.如权利要求1所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,
上述发热体具有发热量较小而设在下部的非发热部、和发热量较大而设在上述非发热部的上部的发热部;
上述凸缘设在比上述发热部靠下方。
3.如权利要求2所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,上述凸缘设在上述非发热部与上述发热部的边界部上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,相邻的上述发热体中的上述凸缘的高度方向的位置不同。
5.如权利要求1或2所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,在一个上述发热体上设有多级的上述凸缘。
6.如权利要求5所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,相邻的上述发热体的上述凸缘的高度方向的位置不同。
7.一种三氯硅烷制造方法,是由包括四氯硅烷和氢的原料气体制造三氯硅烷的方法,其特征在于,
通过将具有在中途位置具备凸缘的发热体的多个加热器排列、以使上述发热体沿着使原料气体流通的上下方向延伸、并且在相邻的上述加热器间形成由上述凸缘缩窄的上述原料气体的流路,将上述原料气体一边整流一边直接加热。
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