[发明专利]一种具有反射膜的陶瓷基板及其制造方法无效
申请号: | 201110041440.8 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102544543A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 江大祥;魏建承 | 申请(专利权)人: | 同欣电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01M8/02 | 分类号: | H01M8/02;H01M8/06;C04B41/90 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张睿 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 反射 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有反射膜的陶瓷基板,所述基板至少包含:
一陶瓷基材,用以构成所述基板的主体;
一反射膜,所述反射膜至少包含一玻璃层与一具有金属结晶的金属膜,其中所述玻璃层是形成于陶瓷基材的一面上,所述具有金属结晶的金属膜系形成于所述玻璃层之上。
2.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述金属膜表面进一步设有一金膜。
3.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述金属膜可选自金或银。
4.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述金属膜的金属结晶直径范围为4至15微米。
5.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述玻璃层为至少一选自下述所构成的一组玻璃:PbO、SiO2、CaO、Al2O3、Bi2O3、BaO、SrO、B2O3、MgO、ZrO、Fe2O3、MnO、CuO、CoO、Na2O、P2O5、ZnO、GeO2及其组合。
6.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板可反射波长大于1微米的红外线。
7.如权利要求6所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板可反射波长介于2至12微米的红外线。
8.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板的红外线反射率至少为90%。
9.如权利要求8所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板的红外线反射率至少为95%。
10.如权利要求9所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板的红外线反射率至少为97%。
11.如权利要求10所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板的红外线反射率至少为99%。
12.如权利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板稳定温度至少为600度。
13.如权利要求12所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板稳定温度至少为700度。
14.如权利要求13所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板稳定温度至少为800度。
15.如权利要求14所述的具有反射膜的陶瓷基板,其中所述陶瓷基板稳定温度至少为900度。
16.一种具有反射膜的陶瓷基板的制造方法,所述方法至少包含下列步骤:
a.提供一陶瓷基材;
b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上;
c.将贴有所述反射膜材料陶瓷基材以一预烘干温度进行预烘干;
d.将贴有所述反射膜材料的陶瓷基材以一预设烧结温度进行烧结;
e.进行退火,以形成一具有反射膜的陶瓷基板。
17.如权利要求16所述的制造方法,其中在退火步骤e之后进一步执行一测量与判断步骤f,测量所述反射膜的金属膜的金属结晶直径,如所述反射膜的金属膜的金属结晶直径未达到一预定范围值,则重复烧结步骤d、退火步骤e及测量与判断步骤f至所述反射膜的金属膜的金属结晶直径达到一预定范围值。
18.如权利要求17所述的制造方法,其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金属膜上进一步形成一金膜。
19.如权利要求17所述的制造方法,其中所述金膜是以溅镀、电镀、涂布或贴合方式形成于所述陶瓷基材上。
20.如权利要求16所述的制造方法,其中所述预烘干温度至少为100度。
21.如权利要求20所述的制造方法,其中所述预烘干温度为110至200度。
22.如权利要求16所述的制造方法,其中所述预烘干时间至少为10分钟。
23.如权利要求22所述的制造方法,其中所述预烘干时间为15至20分钟。
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