[发明专利]一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法

权利要求书

1.一种氨基功能化胶带，由支撑层和位于所述支撑层之上的粘结层组成；构成所述支撑层的材料为聚二甲基硅烷；构成所述粘结层的材料为氨基硅烷。

2.根据权利要求1所述的胶带，其特征在于：所述氨基硅烷选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种，优选3-氨丙基三乙氧基硅烷；所述氨基功能化胶带的厚度为1-5mm，优选2.5mm。

3.一种制备权利要求1或2所述氨基功能化胶带的方法，包括如下步骤：将聚二甲基硅烷薄膜用氧等离子体进行轰击，轰击完毕后置于氨基硅烷的乙醇溶液中浸泡，浸泡完毕用乙醇洗涤，于空气中自然晾干后得到所述氨基功能化胶带。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述聚二甲基硅烷薄膜的厚度为1-5毫米，优选2.5毫米；所述轰击步骤中，真空度为10^-2Pa，空气流量为12-18sccm，优选15sccm，功率为80-90W，优选90W，时间为1-15分钟；所述氨基硅烷选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种，优选3-氨丙基三乙氧基硅烷。

5.一种苯基功能化胶带，由支撑层和位于所述支撑层之上的粘结层组成；构成所述支撑层的材料为聚二甲基硅烷；构成所述粘结层的材料为苯基硅烷。

6.根据权利要求5所述的胶带，其特征在于：所述苯基硅烷选自三乙氧基苯基硅烷、苯甲基三乙氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷中的至少一种，优选三乙氧基苯基硅烷；所述苯基功能化胶带的厚度为1-5mm，优选2.5mm。

7.一种制备权利要求5或6所述苯基功能化胶带的方法，包括如下步骤：将聚二甲基硅烷薄膜用氧等离子体进行轰击，轰击完毕后置于苯基硅烷的乙醇溶液中浸泡，浸泡完毕用乙醇洗涤，于空气中自然晾干后得到所述苯基功能化胶带。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述聚二甲基硅烷薄膜的厚度为1-5毫米，优选2.5毫米；所述轰击步骤中，真空度为10^-2Pa，空气流量为12-18sccm，优选15sccm，功率为80-90W，优选90W，时间为1-15分钟；所述苯基硅烷选自三乙氧基苯基硅烷、苯甲基三乙氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷中的至少一种，优选三乙氧基苯基硅烷。

9.一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法，包括如下步骤：将权利要求1或2任一所述氨基功能化胶带置于位于基底上的所述金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的表面，加压作用后，在所述基底上得到金属型单壁碳纳米管阵列，完成所述分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法；

或者，将权利要求5或6任一所述苯基功能化胶带置于位于基底上的所述金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的表面，加压作用后，在所述基底上得到半导体型单壁碳纳米管阵列，完成所述分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述加压作用步骤中，压力均为10-30N，优选20N，时间均为1-5分钟，优选2分钟；所述单壁碳纳米管阵列中，单壁碳纳米管的长度均为1-500微米，优选均为50-400微米，更优选均为200微米；所述基底均选自氧化铝和石英中的至少一种，优选氧化铝。