[发明专利]用于制造NMOS半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：

提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/O NMOS器件； 

在核心NMOS器件和I/O NMOS器件上形成氧化层和应力层；

在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/O NMOS器件上的应力层； 

去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；

去除核心NMOS器件上的应力层；以及

去除核心NMOS器件和I/O NMOS器件上的氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除核心NMOS器件上的应力层和所述去除I/O NMOS器件上的应力层的步骤使用刻蚀法，并且所述去除核心NMOS器件和I/O NMOS器件上的氧化层的步骤使用刻蚀法。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述刻蚀法包括干刻蚀法和湿刻蚀法，所述干刻蚀法采用的气体为CH₂F₂或CH₃F其中的一种或二者组合，所述湿刻蚀法采用磷酸溶液作为刻蚀液。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对核心NMOS器件进行退火的步骤使用快速退火工艺或激光退火工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层和所述应力层的形成方式可以分别选择为化学气相沉积或物理气相沉积。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材料是SiO₂。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力层的材料是SiN。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料是光刻胶。

9.一种利用如权利要求1至8中任意一项所述的方法制造的半导体器件的集成电路，所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和掩埋式DRAM、射频器件。

10.一种利用如权利要求1至8中任意一项所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。