[发明专利]一种降低石墨烯薄膜方阻的方法无效
| 申请号： | 201110041766.0 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102180463A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;王泽高;李萍剑;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;H01B1/04;H01B13/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 石墨 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，包括如下步骤：将石墨烯薄膜及基片浸泡于具有给予电子或给予空穴能力的溶液中一定时间。
2.根据权利要求1所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述步骤中溶液为具有给予电子能力的低价位的重金属无机类酸、有机醇类和有机胺类溶液或前述溶液的混合液。
3.根据权利要求2所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述具有给予电子能力的低价位的重金属无机类酸为氯金酸或氯铂酸。
4.根据权利要求2所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述具有给予电子能力的有机醇类为甲醇或乙醇。
5.根据权利要求2所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述具有给予电子能力的有机胺类为乙二胺或N，N二甲基甲酰胺。
6.根据权利要求1所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述步骤中溶液为具有给予空穴能力的非金属无机酸类、有机烷类的溶液或前述溶液的混合液。
7.根据权利要求6所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述具有给予空穴能力的非金属无机酸类为盐酸或硝酸。
8.根据权利要求6所述的一种降低石墨烯薄膜方阻的方法，其特征在于，所述具有给予空穴能力的有机烷类为硝基甲烷或硝基乙烷。
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