[发明专利]移位寄存器、扫描线驱动电路、电光装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及移位寄存器、扫描线驱动电路、电光装置和电子设备，且具体地说涉及每个都具有晶体管的移位寄存器、扫描线驱动电路、电光装置和电子设备。

背景技术

作为现有技术，已知每个都具有晶体管的移位寄存器、扫描线驱动电路、电光装置和电子设备(例如参考日本专利特开No.Hei 7-182891和日本专利特开No.2006-351171(在下文中，专利文件1和2))。

专利文件1和2每个都公开了包括晶体管的移位寄存器，该晶体管具有源极和漏极(该源极和漏极之一固定在L电平电位)且通过将H电平信号和L电平信号交替输入到其栅极而在导通状态和截止状态之间切换。

发明内容

但是，在专利文件1和2中描述的移位寄存器中，与输入到晶体管的源极和漏极之一的信号(L电平信号)相同电位的信号或H电平信号输入到晶体管的栅极。如果将H电平信号输入到晶体管的栅极，则向着栅极侧牵引电荷且电荷在栅极绝缘膜侧累积。因此，晶体管的阈值电压向着H电平侧电位移位，这引起尽管将H电平信号输入到晶体管的栅极，但是它也不进入导通状态的不便。这导致归因于由于该阈值电压的变化引起的晶体管的恶化，而移位寄存器的寿命缩短的问题。

本发明需要提供通过抑制晶体管的恶化而允许具有更长寿命的移位寄存器、扫描线驱动电路、电光装置和电子设备。

根据本发明的第一实施例，提供了包括多级移位寄存器单元电路的移位寄存器。多级移位寄存器单元电路中的每一个包括第一晶体管，其具有源极和漏极(第一时钟信号输入到该源极和漏极之一)以及栅极(通过基本上反相第一时钟信号获得的第二时钟信号输入到该栅极)。当在H电平和L电平之一的第二时钟信号输入到第一晶体管的栅极时，在H电平和L电平另一个的第一时钟信号输入到第一晶体管的源极和漏极之一。

在根据第一实施例的移位寄存器中，如上所述，当在H电平和L电平之一的第二时钟信号输入到第一晶体管的栅极时，在H电平和L电平另一个的第一时钟信号输入到第一晶体管的源极和漏极之一。由于该特征，当H电平信号输入到第一晶体管的栅极且L电平信号输入到第一晶体管的源极和漏极之一时，第一晶体管的栅极的电压变得高于其沟道的电压(源极和漏极之间的电压。因此，向着第一晶体管的栅极侧牵引电荷，且电荷累积在栅极绝缘膜侧。另一方面，当L电平信号输入到第一晶体管的栅极且H电平信号输入到第一晶体管的源极和漏极之一时，第一晶体管的沟道的电压(源极和漏极之间的电压)变得高于其栅极的电压。因此，在第一晶体管的栅极绝缘膜侧累积的电荷从栅极绝缘膜侧移动到源极或漏极侧。这允许电荷更不容易累积在第一晶体管的栅极绝缘膜侧，因此可抑制归因于电荷在栅极绝缘膜侧的累积的第一晶体管的阈值电压的移位。结果，抑制第一晶体管的恶化，这可以延长移位寄存器的寿命。

在根据第一实施例的移位寄存器中，优选地是，第一时钟信号和第二时钟信号之一在经过一时段之后从L电平变为H电平，在该时段期间，输入第一晶体管的源极和漏极之一的第一时钟信号和输入到第一晶体管的栅极的第二时钟信号两者都处于L电平。如果采用这种配置，第一时钟信号和第二时钟信号之一在将第一晶体管确实地设置为截止状态之后从L电平变为H电平。这可以抑制在将第一晶体管设置为截止状态之前输出H电平信号。

在根据第一实施例的移位寄存器中，优选地采用以下配置。具体地说，多级移位寄存器单元电路中的每一个包括第二晶体管，其具有源极和漏极(第一时钟信号输入该源极和漏极之一)。此外，第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并形成移位寄存器单元电路的输出端子。另外，移位寄存器单元电路的输出端子连接到移位寄存器单元电路的下一级的输入端子。采用这种配置允许电荷更不容易累积在第一和第二晶体管的栅极绝缘膜侧，且因此可以抑制归因于电荷在栅极绝缘膜侧的累积的第一和第二晶体管的阈值电压的移位。由此，可以将信号确实地输出到扫描线。