[发明专利]晶片烘干系统有效
| 申请号： | 201110042028.8 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102148136A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李园 | 申请（专利权）人： | 王楚雯 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F26B15/18;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 烘干 系统 | ||
1.一种晶片烘干系统，包括：
烘干室；
传输单元，所述传输单元用于将晶片传输通过所述烘干室；其中
所述传输单元包括：
传输带，所述传输带的上段用于承载晶片承载器，所述晶片容纳在所述晶片承载器中，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央向上或向下倾斜。
2.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的两侧朝向所述传输带的中央分别以第一预定角度和第二预定角度向上或者向下倾斜。
3.根据权利要求2所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述第一预定角度和所述第二预定角度相同，且相对于水平面的大小为5-40度。
4.根据权利要求3所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述第一预定角度和所述第二预定角度相对于水平面的大小为10-30度。
5.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的两侧以弧形的方式相对所述传输带的中央向上或者向下倾斜。
6.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述烘干室内包括：
加热器，所述加热器设置在所述传输带的上方，用于加热用于干燥晶片的气体；以及
设置在所述加热器之下的过滤器，所述过滤器用于过滤被加热的气体。
7.根据权利要求6所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述过滤器设置成平行于所述传输带的上表面。
8.根据权利要求6所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述烘干室内进一步包括：
气流导向件，所述气流导向件设置在所述过滤器的下方，且所述气流导向件用于将加热气体引导成垂直于所述上段的上表面。
9.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的上段的中央部分水平地设置。
10.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的表面粗糙度被设置成防止晶片承载器在其上滑动。
11.根据权利要求1所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述传输带的表面上设有承载器定位器以防止晶片承载器在其上滑动。
12.根据权利要求11所述的晶片烘干系统，其特征在于，所述承载器定位器包括多个间隔开的定位齿。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
