[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包括：

基板；

外延结构，位于该基板上，包括：

第一电性半导体层，位于该基板上；

发光层，位于该第一电性半导体层上；以及

第二电性半导体层，位于该发光层上；

第一电性电极，与该第一电性半导体层电性连接；

第二电性电极，位于该第二电性半导体层上并与该第二电性半导体层电性连接；以及

电流分布辅助结构，位于该发光层与该第二电性电极之间，并与至少部分该第二电性半导体层电性连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电性半导体层为N型氮化镓系列材料层，该第二电性半导体层为P型氮化镓系列材料层。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电性半导体层为P型氮化镓系列材料层，该第二电性半导体层为N型氮化镓系列材料层。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第二电性电极包括接触垫及多个延伸电极，其中，该多个延伸电极与该接触垫电性连接，该多个延伸电极形成网状结构。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构，还包括介电层，该介电层设于该第二电性电极上，其中，该介电层的折射率小于该第二电性半导体层。

6.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该多个延伸电极的线宽为小于等于2微米。

7.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该多个延伸电极的间距为2至7微米。

8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构位于该第二电性半导体层之中并与该第二电性半导体层形成欧姆接触。

9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构位于该多个延伸电极相邻的两个之间。

10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构与相邻该多个延伸电极其中之一者具有水平间隙，该水平间隙的长度为0至1微米。

11.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构的宽度为1至5微米。

12.如权利要求9所述的发光二极管结构，还包括反射层，该反射层设于该电流分布辅助结构的一侧。

13.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构为多个独立结构。

14.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构为相互连接的整体结构。

15.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构为Ni/Au、Ni/Ag、Ni/Au/Ni或Ni/Ag/Ni。

16.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该电流分布辅助结构为透明导电氧化物薄膜。

17.一种发光二极管结构的制造方法，包括：

提供基板、第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层的第一部分，其中该第一电性半导体层为P型半导体层及N型半导体层之一者、该第二电性半导体层为P型半导体层及N型半导体层中另一者；

利用光致抗蚀剂定义预设的形状及位置于该第二电性半导体层上；

沉积导电材料层于该第二电性半导体层及该光致抗蚀剂上；

利用剥离法去除该光致抗蚀剂以及位于该光致抗蚀剂上的该导电材料层；

提供第二电性半导体层的第二部分于该导电材料层与该第二电性半导体层的第一部分上；以及

提供第一电性电极与第二电性电极，该第一电性电极与该第一电性半导体层电性连接且该第二电性电极与该第二电性半导体层电性连接，其中，该第二电性电极具有网状结构。

18.如权利要求17所述的发光二极管结构的制造方法，其中在提供该第一电性电极之前，还包括移除部分的该第二电性半导体层、该发光层及该第一电性半导体层以曝露出部分的该第一电性半导体层，该第一电性电极形成于该第一电性半导体层上而与该第一电性半导体层电性连接。