[发明专利]一种存储装置及其制作方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包含：

多条位线；

一纵向晶体管阵列排列于该多条位线之上，该阵列中的每一纵向晶体管具有一第一终端与该多条位线之一接触或位于其中、一通道或基底在该第一终端之上，及一第二终端在该通道或基底之上；

多条自动对准的字线在该阵列中沿着该纵向晶体管的列方向排列；以及

存储元件与该阵列中个别纵向晶体管的该第二终端电性连通。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该纵向晶体管在列方向上彼此分隔一第一距离，且该纵向晶体管在行方向彼此分隔一大于该第一距离的第二距离，且该自动对准字线包含薄膜侧壁在该纵向晶体管之上，具有一厚度大于该第一距离的一半但小于该第二距离的一半，其中该薄膜侧壁在该列方向上合并，且在该行方向分离。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该多个纵向晶体管包含场效应晶体管及包括栅介电层在各自的通道与字线之间。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该存储元件包含于一存储平面的元件，该元件包含一全面的可程序电阻存储材料与该纵向晶体管各自的该第二终端电性耦接，且包括：

导电材料在该可程序电阻存储材料之上且与一共同电压耦接。

5.根据权利要求1所述的存储装置，包含一介电层在该阵列中的该纵向晶体管的该第二终端的上方，且其中该多条位线包含多个具有顶端及其相对端的位线材料隆脊，且在该阵列中的一纵向晶体管的该基底或通道及该第二终端是与该隆脊的该顶端的该相对端自动对准；以及

其中该阵列中的该纵向晶体管的该第二终端具有外围的上接触表面，且包括于该介电层中的空洞使该上接触表面裸露，且与该上接触表面的该外围对准，或是在一距离之内；以及其中该存储元件包括可程序电阻材料于该空洞中。

6.一种制造一存储装置的方法，该方法包含：

形成多条位线；

形成一纵向晶体管的阵列与该多条位线自动对准，该阵列中的每一纵向晶体管具有一第一终端与该多条位线之一接触或位于其中、一通道或基底在该第一终端之上，及一第二终端在该通道或基底之上；

形成多条自动对准的字线在该纵向晶体管之上；以及

形成存储元件与该阵列中个别纵向晶体管的该第二终端电性连通及自动对准。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该形成多条位线及该形成一纵向晶体管的阵列包含：

提供一基板包括一导电材料适合作为一位线材料及一晶体管终端材料；

形成一半导体材料层在该位线材料层之上，其适合作为一通道或基底的材料；

形成一第二终端材料层在该半导体材料层之上；

刻蚀第一沟道延伸穿过该导电材料、该半导体材料及该第二终端材料层以定义位线在该导电材料层中；以及

刻蚀第二沟道延伸穿过与该位线正交的该半导体材料层，保留柱状物在该位线之上，该柱状物包含该通道或基底及对应该纵向晶体管的该第二终端。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中形成多个字线包含：

形成薄膜侧壁的字线材料在该纵向晶体管之上；

沉积一层字线材料在包含该纵向晶体管的柱状物上；以及

非均向性刻蚀该层字线材料与刻蚀至该多条位线的表面。

9.根据权利要求6所述的方法，其中该纵向晶体管在列方向彼此分隔一第一距离，且该纵向晶体管在行方向彼此分隔一大于该第一距离的第二距离，且该薄膜侧壁具有一厚度大于该第一距离的一半但小于该第二距离的一半。

10.根据权利要求6所述的方法，其中形成该存储元件包含：

形成一全面的可程序电阻存储材料层；以及

形成一全面的导电层在该可程序电阻存储材料层之上，且其中存储元件的一部分与对应的纵向晶体管接触。