[发明专利]具有多级孔道结构的配位聚合物材料及其制备方法有效
申请号: | 201110042546.X | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102161671A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 张建勇;相升林;李垒;韩晓蕊;袁孝辰;陈六平;苏成勇 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C07F3/02 | 分类号: | C07F3/02;C07F3/04;C07F5/06;C07F5/00;C07F7/28;C07F9/00;C07F11/00;C07F13/00;C07F15/02;C07F15/04;C07F15/06;C07F1/08;C07F3/00;C07 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 李柏林 |
地址: | 510275 广东省广州市新*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多级 孔道 结构 配位聚合 材料 及其 制备 方法 | ||
1.具有多级孔道结构的配位聚合物材料,其特征在于:其内部存在多级孔道结构,所述的多级孔道结构是指由金属离子与有机配体通过反应形成的微孔和/或介孔和/或大孔的多级孔道结构,所述的微孔的孔径小于等于2nm,所述的介孔的孔径在2-50nm之间,所述的大孔的孔径大于50nm。
2.根据权利要求1所述的一种具有多级孔道结构的配位聚合物材料,其特征在于:所述的金属离子为Mg、Al、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu元素的离子中的至少一种。
3.根据利要求1所述的一种具有多级孔道结构的配位聚合物材料,其特征在于:所述的有机配体为至少二齿含羧基有机化合物。
4.具有多级孔道结构的配位聚合物材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将含金属离子的无机盐、有机配体、溶剂混在一起制成混合溶液,其中,所述的金属离子的物质的量和有机配体的物质的量的比为0.2-5;
2)将混合溶液在室温-180℃下静置,直至得到配位聚合物凝胶;
3)将配位聚合物凝胶干燥得到具有多级孔道结构的配位聚合物材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110042546.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:增加太阳能收集器/集中器中的光收集角度范围
- 下一篇:晶片加工方法