[发明专利]光电池基板和包括此光电池基板的光电池无效
| 申请号： | 201110042810.X | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102194902A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 柳济春;刘泳祚;金序炫;金镇奭 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01G9/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电池 包括 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电池基板，包括：
透明基板；和
掺杂有掺杂剂的氧化锌薄膜层，其中所述氧化锌薄膜层形成在所述透明基板上，且根据X射线衍射(XRD)数据，具有(0002)晶体平面和占所述(0002)晶体平面的3％或更高的晶体平面。
2.如权利要求1所述的光电池基板，其中所述氧化锌薄膜层包含0.1wt％至15wt％的加入到氧化锌中的添加剂，且具有450nm至900nm的厚度。
3.如权利要求1所述的光电池基板，其中加入到氧化锌中的所述掺杂剂为选自Al、Ga、In、Ti和B中的一种，或其中的两种或更多种。
4.如权利要求1所述的光电池基板，进一步包括形成在所述透明基板和所述氧化锌薄膜层之间的防杂质材料洗脱膜，所述防杂质材料洗脱膜防止杂质材料从所述透明基板内部洗脱。
5.如权利要求4所述的光电池基板，其中所述防杂质材料洗脱膜由二氧化硅(SiO2)或二氧化钛(TiO2)制成。
6.一种光电池，包括光电池基板，其中所述光电池基板包括：
透明基板；和
掺杂有掺杂剂的氧化锌薄膜层，其中所述氧化锌薄膜层形成在所述透明基板上，且根据X射线衍射(XRD)数据，具有(0002)晶体平面和占所述(0002)晶体平面的3％或更高的晶体平面。
7.如权利要求6所述的光电池，包括选自串叠型光电池、化合物光电池和染料敏化光电池中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
