[发明专利]图形衬底和LED芯片

权利要求书

1.一种图形衬底，包括基本衬底和形成在所述基本衬底上的阵列形式排列的图形凸起，其特征在于，还包括：

图形凸起掩膜，所述图形凸起掩膜至少覆盖所述图形凸起的顶部。

2.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形凸起掩膜的材料为二氧化硅和二氧化钛交替沉积形成的混合物、二氧化硅、氮化硅或二氧化钛。

3.根据权利要求1或2所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形凸起掩膜的厚度为100-2000纳米。

4.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形凸起的顶部宽度不大于所述图形凸起的底部宽度，并且所述图形凸起的底部宽度为1-10微米，所述图形凸起之间的间距为2-5微米，所述图形凸起的高度为1-3微米。

5.根据权利要求1或2所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形凸起的横截面的形状为梯形或三角形。

6.根据权利要求4所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形衬底的外表面形成有纳米凸起和纳米凹陷。

7.根据权利要求6所述的图形衬底，其特征在于：

所述纳米凸起和所述纳米凹陷的横向尺寸均为30-100纳米，纵向尺寸均为50-200纳米。

8.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于：

所述基本衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化镓、氮化铝或尖晶石，所述图形凸起的材料与所述基本衬底的材料相同，所述图形凸起的材料与所述图形凸起掩膜的材料不同。

9.根据权利要求1所述的图形衬底，其特征在于：

所述图形凸起的材料与所述图形凸起掩膜的材料相同，所述图形凸起掩膜的材料与所述基本衬底的材料不同。

10.一种LED芯片，包括外延层、透明导电层和连接电极，其特征在于，还包括：权利要求1-9任一所述的图形衬底；

所述外延层和透明导电层依次生长在所述图形衬底上。

11.根据权利要求10所述的LED芯片，其特征在于：

所述外延层包括依次生长在所述图形衬底上的N型导电层、发光层和P型导电层；

所述外延层上形成有至少一个外延层平台，所述外延层平台的底面露出所述N型导电层；

所述连接电极包括N型电极和P型电极，所述N型电极与所述N型导电层相连通，所述P型电极与所述透明导电层相连通。

12.根据权利要求11所述的LED芯片，其特征在于：

所述透明导电层表面形成有阵列形式排列的透明导电层凸起。