[发明专利]用于超级结器件的拐角布局

权利要求书

1.一种用于设计超级结器件布局的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤a：确定形成在超级结器件的掺杂层中，有源单元区的有源单元立柱结构中每单位面积上，以及形成在掺杂层中有源单元区周围的终止区的终止立柱结构中的每单位面积上，第一类型掺杂物的植入剂量Q_imp，其中所述的掺杂层具有厚度t以及与第一导电类型掺杂物的电荷类型相反的第二导电类型的掺杂物的掺杂密度M；

步骤b：设计有源单元立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡；并且

步骤c：设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与超级结器件的拐角区域中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，设计立柱结构末端的布局，包括考虑到拐角的曲率，对有源单元立柱结构的拐角附近的有源单元立柱结构的末端布局进行调整。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，包括调整布局的形状，将拐角附近的一部分掺杂层分成面积为A的一个或多个区域，并设计有源单元立柱结构的末端，使任意一个或多个区域都含有一个面积为A1的第一导电类型掺杂物的终止立柱和/或有源单元立柱结构，以至于对于任意一个或多个区域而言，A1/A都是一个常数。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，常数A1/A等于M·t/Q_imp。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，拐角附近的一个或多个有源单元立柱结构的末端的布局都含有一个钩状部分，其中设计末端的拐角布局包括设计钩状部分，以保持A1/A这个常数。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的钩状部分朝着最靠近晶片中心的一侧弯曲，超级结器件就形成在该晶片上。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，从钩状部分对边上的末端，除去一个楔形。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，设计末端部分包括调节一个或多个末端与邻近的终止立柱结构之间的距离。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，末端的布局含有一个边缘环状部分，连接两个或多个相邻有源单元立柱结构的末端。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，从与边缘环交叉的锐角边的末端，除去一个切口。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，边缘环在与末端交叉的锐角边处较窄。

12.一种超级结器件，其特征在于，包括：

一个掺杂层；

一个有源单元区，具有多个形成在掺杂层中的有源单元立柱结构；以及

一个终止区，具有一个或多个终止立柱结构，形成在有源单元区周围的掺杂层中，其中所述有源单元立柱结构和终止立柱结构的特征在于，包括剂量为Q_imp的第一导电类型掺杂物，其中所述掺杂层的特征在于，包括厚度为t以及与第一导电类型掺杂物的电荷类型相反的每单位体积上掺杂密度为M的第二导电类型的掺杂物；

其中设计有源单元结构立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡；

其中设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的拐角布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与掺杂层的邻近部分中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。

13.如权利要求12所述的超级结器件，其特征在于，末端的布局含有一个边缘环状部分，连接两个或多个相邻有源单元立柱结构的末端。

14.如权利要求13所述的超级结器件，其特征在于，从与边缘环交叉的锐角边的末端，除去一个切口。

15.如权利要求13所述的超级结器件，其特征在于，边缘环在与末端交叉的锐角边处较窄。

16.如权利要求12所述的超级结器件，其特征在于，考虑到拐角的曲率，对终止立柱结构的拐角附近的立柱结构的末端布局进行配置。