[发明专利]透明导电性薄膜、其制造方法以及具备其的触摸面板无效

专利信息
申请号: 201110043077.3 申请日: 2008-01-18
公开(公告)号: CN102097159A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 梨木智刚;菅原英男 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/08;G06F3/041
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 透明 导电性 薄膜 制造 方法 以及 具备 触摸 面板
【权利要求书】:

1.一种透明导电性薄膜,其是在透明的薄膜基材的单面或两面上,经由至少两层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜,其特征在于,

所述透明导电体层被图案化,而且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少两层底涂层,从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的厚度为100~220nm且该第一层的底涂层由有机物形成。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

底涂层至少具有两层,至少离透明的薄膜基材最远的底涂层由无机物形成。

3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

由无机物形成的底涂层为SiO2膜。

4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

透明导电体层的折射率与底涂层的折射率的差为0.1以上。

5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

已被图案化的透明导电体层经由两层底涂层地设置,

从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率n为1.5~1.7,厚度d为100~220nm,

从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率n为1.4~1.5,厚度d为20~80nm,

透明导电体层的折射率n为1.9~2.1,厚度d为15~30nm,

所述各层的光学厚度n×d的总和为208~554nm。

6.根据权利要求5所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

已被图案化的透明导电体层和两层底涂层的所述光学厚度的总和、与非图案部的底涂层的光学厚度的差Δnd为40~130nm。

7.一种透明导电性薄膜,其特征在于,

以在至少单面上配置已被图案化的所述透明导电体层的方式,经由透明的粘合剂层,至少叠层两片权利要求1所述的透明导电性薄膜。

8.一种透明导电性薄膜,其特征在于,

以在单面上配置已被图案化的所述透明导电体层的方式,在权利要求1所述的透明导电性薄膜的单面上,经由透明的粘合剂层,贴合透明基体。

9.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

被用于触摸面板。

10.根据权利要求9所述的透明导电性薄膜,其特征在于,

触摸面板为静电电容结合方式的触摸面板。

11.一种透明导电性薄膜的制造方法,其是权利要求1~10中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法,其特征在于,包括:

配制在透明的薄膜基材的单面或两面经由至少两层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜的工序;以及

利用酸来蚀刻所述透明导电体层从而图案化的工序。

12.根据权利要求11所述的透明导电性薄膜的制造方法,其特征在于,

在图案化透明导电体层的工序之后,具有退火处理已被图案化的透明导电体层从而使其结晶化的工序。

13.一种触摸面板,其特征在于,

具备权利要求1~10中任一项所述的透明导电性薄膜。

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