[发明专利]运算放大器、显示面板驱动器和显示装置无效
申请号: | 201110043121.0 | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102163958A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 西村浩一;岛谷淳 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 显示 面板 驱动器 显示装置 | ||
1.一种运算放大器,包括:
高侧输出晶体管,所述高侧输出晶体管连接在输出端子和正电源线之间;
低侧输出晶体管,所述低侧输出晶体管连接在所述输出端子和负电源线之间;
第一电容器元件,所述第一电容器元件连接在第一节点和所述输出端子之间;
第二电容器元件,所述第二电容器元件连接在第二节点和所述输出端子之间;
第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管具有连接到所述高侧输出晶体管的栅极的源极和连接到所述低侧输出晶体管的栅极的漏极;
第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管具有连接到所述低侧输出晶体管的栅极的源极和连接到所述高侧输出晶体管的栅极的漏极;
第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管具有连接到所述第一节点的源极和连接到所述高侧输出晶体管的栅极的漏极;以及
第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管具有连接到所述第二节点的源极和连接到所述低侧输出晶体管的栅极的漏极,
其中,所述第一和第二PMOS晶体管的栅极共同地连接,并且被馈送有第一偏置电压,并且
其中,所述第一和第二NMOS晶体管的栅极公共地连接,并且被馈送有第二偏置电压。
2.根据权利要求1所述的运算放大器,其中,所述第一和第二偏置电压被调整为所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管在三极管区域中工作。
3.根据权利要求1或2所述的运算放大器,进一步包括:放大器,所述放大器具有连接到所述第二PMOS晶体管的源极或所述第二NMOS晶体管的源极的输出。
4.根据权利要求1或2所述的运算放大器,进一步包括:
差分放大器,所述差分放大器具有非反相输入、反相输入、连接到所述第二PMOS晶体管的源极的第一输出和连接到所述第二NMOS晶体管的源极的第二输出。
5.根据权利要求1或2所述的运算放大器,进一步包括:
NMOS差分对,所述NMOS差分对包括具有共同地连接的源极的第三和第四NMOS晶体管;
第一恒流源,所述第一恒流源从所述第三和第四NMOS晶体管的源极引出电流;
第一电流镜,所述第一电流镜连接到所述第三和第四NMOS晶体管的漏极;
PMOS差分对,所述PMOS差分对包括具有共同地连接的源极的第三和第四PMOS晶体管;
第二恒流源,所述第二恒流源将电流提供到所述第三和第四PMOS晶体管的源极;
第二电流镜,所述第二电流镜连接到所述第三和第四PMOS晶体管的漏极;
其中,所述第四NMOS晶体管的漏极连接到所述第一节点,并且
其中,所述第四PMOS晶体管的漏极连接到所述第二节点。
6.根据权利要求1所述的运算放大器,进一步包括:
第三恒流源,所述第三恒流源向所述第一节点提供电流;以及
第四恒流源,所述第四恒流源从所述第二节点引出电流。
7.根据权利要求5所述的运算放大器,进一步包括:浮动电流源,所述浮动电流源连接在所述第三NMOS晶体管的漏极和所述PMOS晶体管的漏极之间。
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