[发明专利]具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：

A、对p型太阳能电池硅片进行磷扩散；

B、化学腐蚀方法制备纳米柱；

C、表面清洗，去除残余物；

D、对硅片扩散面再次进行磷扩散；

E、对硅片进行SiN_x:H_x:H表面钝化和减反薄膜沉积，制备电池负电极、正电极和Al背场，完成具有超低纳米减反结构的准黑硅高效太阳能电池的制备。

2.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤A中所述p型太阳能电池硅片为纯度大于99.9999％的太阳能级硅衬底，P型掺杂，晶面指数为(100)。

3.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤A中所述磷扩散为利用POCl₃作为磷扩散源，在N₂、O₂气氛下采用通入磷源工艺进行扩散。

4.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤A中所述对p型太阳能电池硅片进行磷扩散，扩散后的方块电阻为10～150欧姆，PN结深为0.05～2.0微米。

5.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤B中所述化学腐蚀方法制备纳米柱，是在腐蚀时将溶液置于防酸装置中，腐蚀时间为10分钟～5小时，溶液温度根据时间设为10℃～80℃，并进行搅拌以保持浓度一致。

6.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤C中所述表面清洗去除残余物，是将腐蚀过的硅衬底首先利用去离子水清洗10秒～20分钟，然后利用硝酸溶液将硅片浸泡至少10分钟以上，以去除表面的金属层。

7.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤C中所述表面清洗去除残余物，是将硅片经硝酸溶液清洗后，依次利用稀释的氢氟酸溶液漂洗10秒至30分钟、去离子水清洗10秒至30分钟，其中所用的氢氟酸溶液包括所有的稀释比例。

8.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤D中所述对硅片扩散面再次进行磷扩散，是在硅片已扩散的一面进行再次扩散，利用POCl₃作为磷扩散源，在N₂、O₂气氛下、采用通入磷源工艺进行扩散。

9.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤E中所述对硅片进行SiN_x:H_x:H表面钝化和减反薄膜沉积，是利用等离子体工艺将硅片进行去边处理，以去除扩散过程中可能造成的边缘短路的部分。

10.根据权利要求1所述的具有超低纳米减反结构准黑硅高效太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤E中所述对硅片进行SiN_x:H_x:H表面钝化和减反薄膜沉积，是利用PEVCD设备，在氢气气氛下在上述硅片的扩散面沉积一层SiN_x:H_x:H薄膜，薄膜厚度为10～200nm。