[发明专利]紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法

权利要求书

1.紫外激光干涉灼蚀有机半导体激光器直写方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将荧光发射有机半导体材料溶解于有机溶剂中，制成浓度为10-60mg/ml的有机半导体溶液；

2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，旋涂速度为500-4000rpm，获得厚度均匀的有机半导体薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；

3)将强紫外激光干涉图案与有机半导体薄膜作用，使得干涉亮条纹区的有机半导体薄膜在瞬间被灼蚀掉，而留下未曝光区，形成高质量的有机半导体光栅结构。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

4)上述已实现的一维有机半导体纳米光栅制备技术的基础上，将样品以其基底平面法线方向为轴旋转90°，再进行第二次曝光灼蚀，即可实现二维有机半导体纳米光栅结构的制备。

3.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述荧光发射有机半导体材料为：9，9-二辛基芴-2，7)-交替共聚-(1，4-{2，1’，3}-苯并噻二唑)(F8BT)，(9，9-二辛基芴-2，7)-共聚-二(4-甲氧基苯基)-芴(F8DP)，(9，9-二辛基芴-2，7)-共聚-双-N，N’-(4-丁基苯基)-双-N，N’-苯基-1，4-苯二胺(PFB)。

4.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述的有机溶剂为二甲苯、甲苯、氯苯、二氯苯、苯、三氯甲烷、环己烷、戊烷、己烷或辛烷中的一种。

5.按照权利要求1的方法，其特征在于，基底选自玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、石英片或者硅片。

6.按照权利要求1的方法，其特征在于，干涉灼蚀紫外激光光源为波长小于等于400nm的高能量脉冲激光。

7.按照权利要求1的方法，其特征在于，荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上，旋涂速度优选1000rpm。