[发明专利]半导体器件和使用相同载体在WLCSP中形成TMV和TSV的方法

权利要求书

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供临时载体；

在临时载体上安装半导体管芯；

在半导体管芯和临时载体上沉积密封剂；

在半导体管芯和密封剂上形成第一绝缘层；

在半导体管芯安装到临时载体上时形成通过第一绝缘层和半导体管芯的多个第一通路；

在半导体管芯安装到临时载体上时形成通过第一绝缘层和密封剂的多个第二通路；

在第一通路中沉积导电材料以形成导电直通硅通路（TSV）；

在第二通路中沉积导电材料以形成导电直通铸模通路（TMV）；

在第一绝缘层上形成第一互连结构并且电连接到导电TSV和导电TMV；

除去临时载体；以及

在半导体管芯和密封剂上与第一互连结构相对地形成第二互连结构并且电连接到导电TSV和导电TMV。

2. 根据权利要求1的方法，其中导电TSV电连接到半导体管芯上的接触焊盘或半导体管芯的有源表面。

3. 根据权利要求1的方法，进一步包括

在第一通路的侧壁上沉积导电材料以形成导电TSV；以及

在导电TSV上在第一通路中形成第二绝缘材料。

4. 根据权利要求1的方法，进一步包括：

在将半导体管芯安装到临时载体上之前在半导体管芯的接触焊盘上形成凸块；以及

将具有凸块的半导体管芯安装到临时载体上。

5. 根据权利要求4的方法，进一步包括在半导体管芯下面的凸块的周围沉积密封剂或底层填充材料。

6. 根据权利要求1的方法，进一步包括在沉积导电材料以形成导电TSV和导电TMV之前在第一通路和第二通路的侧壁上形成第二绝缘材料。

7. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供载体；

在载体上安装半导体管芯；

在半导体管芯和载体上沉积密封剂；

在半导体管芯安装到载体上时形成通过半导体管芯的多个第一通路；

在与第一通路相同的方向上形成通过密封剂的多个第二通路；

在第一通路中沉积导电材料以形成第一导电通路并且在第二通路中沉积导电材料以形成第二导电通路；

在密封剂上形成第一互连结构并且电连接到第一导电通路和第二导电通路；

除去载体；以及

在密封剂上与第一互连结构相对地形成第二互连结构并且电连接到第一导电通路和第二导电通路。

8. 根据权利要求7的方法，进一步包括：

在安装第一互连结构之前利用半导体管芯的后表面来平面化密封剂；以及

在半导体管芯和密封剂上形成绝缘层。

9. 根据权利要求7的方法，进一步包括：

在第一通路的侧壁上沉积导电材料以形成第一导电通路；以及

在第一导电通路上在第一通路中形成绝缘材料。

10. 根据权利要求7的方法，进一步包括：

在载体上安装半导体管芯之前在半导体管芯的接触焊盘上形成凸块；以及

将具有凸块的半导体管芯安装到载体。

11. 根据权利要求10的方法，进一步包括在半导体管芯下面的凸块的周围沉积密封剂或底层填充材料。

12. 根据权利要求7的方法，进一步包括在沉积导电材料以形成第一导电通路和第二导电通路之前在第一通路和第二通路的侧壁上形成绝缘材料。

13. 根据权利要求7的方法，进一步包括：

堆叠多个所述半导体器件；以及

通过第一和第二互连结构以及第一导电通路和第二导电通路电连接所述堆叠的半导体器件。