[发明专利]一种硅纳米线-导电高分子复合物及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种制备硅纳米线-导电高分子复合物的方法，包括下述步骤：

1)将具有硅纳米线阵列的硅片用HF溶液处理，得到处理后的具有硅纳米线阵列的硅片；

2)采用循环伏安法，使高分子单体3，4-乙撑二氧噻吩在所述硅纳米线阵列表面进行电化学聚合反应，得到所述硅纳米线-导电高分子复合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)中所述电化学聚合反应在含有支持电解质的去离子水溶液中进行；所述支持电解质选自下述任意一种：LiClO₄、聚-4-苯乙烯磺酸钠，LiCF₃SO₃，LiBF₄和LiTFSI；所述支持电解质的浓度为0.5-3.0M。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤2)中所述电化学聚合反应的反应体系中高分子单体3，4-乙撑二氧噻吩的浓度为0.0032-0.019M。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：步骤2)中循环伏安法中采用的电极体系为三电极体系；所述三电极体系中，工作电极为所述具有硅纳米线阵列的硅片，对电极为铂电极，参比电极为饱和甘汞电极。

5.根据权利1-4中任一项所述的方法，其特征在于：步骤2)中所述电化学聚合反应中，循环伏安的扫描电位范围为：-1.0-1.2V，扫描速度为50mV/s-0.6V/s，扫描次数为3-10次。

6.权利要求1-5中任一项所述方法制备得到的硅纳米线-导电高分子复合物。

7.一种硅纳米线-碘掺杂导电高分子复合物，其特征在于：所述硅纳米线-碘掺杂导电高分子复合物是按照下述方法制备得到的：将权利要求6所述的硅纳米线-导电高分子复合物置于I₂蒸气中进行处理。

8.权利要求7所述的硅纳米线-碘掺杂导电高分子复合物，其特征在于：所述处理的时间为6-48h。

9.权利要求6所述的硅纳米线-导电高分子复合物作为催化剂在光催化质氢中的应用。

10.权利要求7或8所述的硅纳米线-导电高分子复合物作为催化剂在光催化质氢中的应用，其特征在于：所述应用中，采用钛青铜作为共催化剂，以HI酸作为电子牺牲体。