[发明专利]一种摆率控制驱动电路有效

专利信息
申请号: 201110043370.X 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102186130B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 冯之因;王传芳;陈军君 申请(专利权)人: 启攀微电子(上海)有限公司
主分类号: H04R3/00 分类号: H04R3/00
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201103 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 控制 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种微电子功放驱动电路,具体涉及一种采用电流控制的摆率控制驱动电路。

背景技术

传统的音频功放市场中,主要存在模拟信号功放和数字信号功放,在模拟信号的功放中,AB类(也称为甲乙类)功放占据着较大的份额。其优点是,可以提供更好的总谐波失真加噪声(THD+N)表现,而馈通电流也可以保持在较低的水平。其缺点是,AB类功放的效率很低,通常情况下只能维持在50%左右,因此效率上的缺陷和散热问题的存在使得AB类音频功放在手持设备中的应用受到极大的限制。

在数字功放领域中,D类功放应用较为广泛,其效率通常可以达到90%以上,并且具有便于集成的优点,因而适合应用在手机或其他便携式的轻型设备中。

图1给出了一种典型的D类音频功放电路结构100包括一脉冲宽度调制电路(PWM)101,分别用于处理正相端信号PWM_P和反相端信号PWM_N的栅极驱动电路102、103,两对输出功率管MP10/MN10、MP20/MN20。由于脉宽调制信号频率大多设定在300k左右的高频,因此会在跳变沿(上升沿或者下降沿)会产生大量的高频分量,从而导致EMI电磁干扰问题,并且更容易在输出级引发闩锁效应。

输出驱动电路由反相器106、108或缓冲级107、109构成,因此输出电流瞬时可以达到一百毫安甚至数百毫安以上。

请同时参考图2,图2是现有技术驱动电路的信号图,负载电容(主要是输出功率管的寄生电容)会在瞬间完成充放电,从而导致输出级有大量馈通电流从电源端直接流向地。另外,由于电源端各种连接线都很长,因此会有较大的寄生电感,而输出的瞬时大电流便会在这些寄生电感上产生大的电源波动,并引起EMI问题。

输出功率管的寄生电容会在瞬时完成充放电。死区时间需要由RS触发器104/105等电路结构确定,这样的结构需要通过延时来控制功率输出管开启/关闭时间,通常不够准确,依然会存在电源馈通的问题,或者会增加输出信号的总谐波失真。

图2中输入信号401,输出功率管栅极电压402、403,输出电流404和输出信号405的波形示意图。可以看到,由于死区时间的影响,输出级的馈通电流十分明显,通常可以达到数百毫安以上。因此输出信号会有较大的过冲,而电源上波动也较为明显。

综上所述,现有技术的数字功放主要存在电磁干扰较大,容易产生馈通电流以及增加输出信号总谐波失真的缺陷。

发明内容

针对上述缺陷,本发明的目的是提供一种摆率控制驱动电路,以解决现有技术的D类音频功放容易产生馈通电流、电磁干扰现象较大以及增加输出信号总谐波失真的技术问题。

为实现上述目的,本发明采用了以下的技术方案:

一种摆率控制驱动电路,包括:

输入级脉冲宽度调制电路;

两组输出级功率管,分别对应该输入级脉冲宽度调制电路输出端的正相端信号和反相端信号,每组输出级功率管各包含一PMOS管和一NMOS功率管;

两栅极驱动电路,分别设置在所述输入级脉冲宽度调制电路的两输出端与对应的输出级功率管之间,该栅极驱动电路进一步包括:

一用以对所述PMOS管进行控制驱动的PMOS驱动电路和用来对所述NMOS管进行控制驱动的NMOS驱动电路;

两死区时序控制电路,用于防止电源馈通现象;

同时,所述输出级功率管的PMOS管输出信号和NMOS功率管输出信号,分别被反馈至所述PMOS驱动电路和所述NMOS驱动电路,当输出信号超过设定范围后减少控制电流,进而改善电源波动。

依照本发明较佳实施例所述的摆率控制驱动电路,所述PMOS驱动电路和NMOS驱动电路各包含两组开关电流源,用以产生稳定的输出电流对输出功率管的栅极寄生电容进行充/放电,从而控制其开启/关闭。

依照本发明较佳实施例所述的摆率控制驱动电路,所述死区时序控制电路是施密特触发器通过一与门与所述开关电源的开关的栅极连接。

依照本发明较佳实施例所述的摆率控制驱动电路,所述栅极驱动电路还包括一由两个反相器组成的输入缓冲元件,将所述输入级脉冲宽度调制电路的输出信号传输到所述PMOS驱动电路和NMOS驱动电路。

依照本发明较佳实施例所述的摆率控制驱动电路,

所述NMOS驱动电路的两开关电流源的节点信号反馈至所述PMOS驱动电路连接的死区时序控制电路;

所述PMOS驱动电路的两开关电流源的节点信号反馈至所述NMOS驱动电路连接的死区时序控制电路;

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