[发明专利]基于激光干涉光刻的分布反馈式有机半导体激光器制作方法无效
申请号: | 201110043483.X | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102651534A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 张新平;翟天瑞 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 激光 干涉 光刻 分布 反馈 有机半导体 激光器 制作方法 | ||
1.基于激光干涉光刻的分布反馈式有机半导体激光器制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将记录介质旋涂在基底上,旋涂速度为500-4000rpm,获得厚度均匀的记录介质薄膜,薄膜的厚度为50-500nm;
2)将激光干涉图案与记录介质薄膜作用,形成高质量的记录介质分布反馈式结构;
3)将荧光发射有机半导体材料溶解于有机溶剂中,制成浓度为10-150mg/ml的有机半导体溶液;
4)将有机半导体溶液旋涂在记录介质分布反馈式结构上,旋涂速度为500-4000rpm,获得厚度均匀的有机半导体薄膜,薄膜厚度的为50-500nm。
2.按照权利要求1的方法,其特征在于,步骤2)还包括:在上述已实现的一维记录介质分布反馈式结构的基础上,将样品绕其法线旋转90°,再进行第二次干涉曝光。
3.按照权利要求1的方法,其特征在于,所述的荧光发射有机半导体材料为:9,9-二辛基芴-2,7)-交替共聚-(1,4-{2,1’,3}-苯并噻二唑)(F8BT),(9,9-二辛基芴-2,7)-共聚-二(4-甲氧基苯基)-芴(F8DP),(9,9-二辛基芴-2,7)-共聚-双-N,N’-(4-丁基苯基)-双-N,N’-苯基-1,4-苯二胺(PFB)。
4.按照权利要求1的方法,其特征在于,有机溶剂为二甲苯、甲苯、氯苯、二氯苯、苯、三氯甲烷、环己烷、戊烷、己烷或辛烷中的一种。
5.按照权利要求1的方法,其特征在于,基底选自玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、石英片或者硅片。
6.按照权利要求1的方法,其特征在于,干涉灼蚀紫外激光光源为波长小于等于400nm的高能量脉冲激光。
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