[发明专利]基于激光干涉光刻的分布反馈式有机半导体激光器制作方法

权利要求书

1.基于激光干涉光刻的分布反馈式有机半导体激光器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将记录介质旋涂在基底上，旋涂速度为500-4000rpm，获得厚度均匀的记录介质薄膜，薄膜的厚度为50-500nm；

2)将激光干涉图案与记录介质薄膜作用，形成高质量的记录介质分布反馈式结构；

3)将荧光发射有机半导体材料溶解于有机溶剂中，制成浓度为10-150mg/ml的有机半导体溶液；

4)将有机半导体溶液旋涂在记录介质分布反馈式结构上，旋涂速度为500-4000rpm，获得厚度均匀的有机半导体薄膜，薄膜厚度的为50-500nm。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤2)还包括：在上述已实现的一维记录介质分布反馈式结构的基础上，将样品绕其法线旋转90°，再进行第二次干涉曝光。

3.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述的荧光发射有机半导体材料为：9，9-二辛基芴-2，7)-交替共聚-(1，4-{2，1’，3}-苯并噻二唑)(F8BT)，(9，9-二辛基芴-2，7)-共聚-二(4-甲氧基苯基)-芴(F8DP)，(9，9-二辛基芴-2，7)-共聚-双-N，N’-(4-丁基苯基)-双-N，N’-苯基-1，4-苯二胺(PFB)。

4.按照权利要求1的方法，其特征在于，有机溶剂为二甲苯、甲苯、氯苯、二氯苯、苯、三氯甲烷、环己烷、戊烷、己烷或辛烷中的一种。

5.按照权利要求1的方法，其特征在于，基底选自玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、石英片或者硅片。

6.按照权利要求1的方法，其特征在于，干涉灼蚀紫外激光光源为波长小于等于400nm的高能量脉冲激光。