[发明专利]陶瓷工件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种陶瓷工件及其制造方法，特别是涉及一种具有渐变金属碳化物层或渐变金属氧化物层的陶瓷工件及其制造方法。

背景技术

目前，习知的陶瓷外壳上，常会镀覆一层金属层作为装饰用，然而由于不同材质之间的晶格差距过大，容易造成在异质接面上有硬残余应力过大的问题，因此容易形成掉漆或掉膜的问题，使得消费性电子产品的外表经不起时间的考验。

习知在镀覆金属膜层时常使用的方法包含电镀或电弧镀膜法，然而这些方法对于金属装饰层的附着力皆未能有提高的效果。因此，提供一种具有高度粘附效果的金属装饰层与陶瓷基材之间的嫁接材料以及其制作方法，就显得刻不容缓了。

发明内容

有鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的就是在于提供一种陶瓷工件及其制造方法，以解决陶瓷外壳上镀覆金属时附着力不足的问题。

根据本发明的目的，提出一种陶瓷工件，其包含了一陶瓷基材以及一嫁接层。嫁接层是以反应性真空镀膜的方式设置于陶瓷基材的一面上，且嫁接层为碳化金属(M_xC_y)、氧化金属(M_xO_y)或氮化金属(M_xN_y)。

其中，嫁接层还包含一第一嫁接子层以及一第二嫁接子层。第一嫁接子层(M_aC_b)是设于陶瓷基材的所述面上，而第二嫁接子层(M_cC_d)则设于第一嫁接子层上，且a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

其中，嫁接层还包含一第一嫁接子层以及一第二嫁接子层。第一嫁接子层(M_aO_b)是设于陶瓷基材的面上，而第二嫁接子层(M_cO_d)则设于第一嫁接子层上，且a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

其中，嫁接层还包含一第一嫁接子层以及一第二嫁接子层。第一嫁接子层(M_aN_b)是设于陶瓷基材的面上，而第二嫁接子层(M_cN_d)则设于第一嫁接子层上，且a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

其中，嫁接层还包含一第一嫁接子层以及一第二嫁接子层。第一嫁接子层是设于陶瓷基材的所述面上，而第二嫁接子层则设于第一嫁接子层上，且第一嫁接子层的厚度小于第二嫁接子层的厚度。

其中，嫁接层还包含一第一嫁接子层以及一第二嫁接子层。第一嫁接子层是设于陶瓷基材的所述面上，而第二嫁接子层则设于第一嫁接子层上，且第一嫁接子层的厚度大于第二嫁接子层的厚度。

其中，嫁接层的厚度是介于1～500内米。

其中，陶瓷工件还包含一金属层，且金属层设置于嫁接层上。

根据本发明的目的，再提出一种陶瓷工件的制造方法，其包含提供一陶瓷基材，并以电浆轰击陶瓷基材的一面，再以真空镀膜法进行反应性镀膜在陶瓷基材的所述面上镀制一嫁接层，嫁接层为碳化金属(M_xC_y)、氧化金属(M_xO_y)或氮化金属(M_xN_y)。

其中，镀制嫁接层还包含先在陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层(M_aC_b)，再在第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层(M_cC_d)，且a+b＝1，c+d＝1，a＜c。

其中，镀制嫁接层还包含先在陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层(M_aO_b)，再在第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层(M_cO_d)，且a+b＝1，c+d＝1，a＜c。

其中，镀制嫁接层还包含先在陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层(M_aN_b)，再在第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层(M_cN_d)，且a+b＝1，c+d＝1，a＜c。

其中，镀制嫁接层还包含先在陶瓷基材的一面上镀制一第一嫁接子层，再在第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层，且第一嫁接子层的厚度小于第二嫁接子层的厚度。

其中，镀制嫁接层还包含先在陶瓷基材的一面上镀制一第一嫁接子层，再在第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层，且第一嫁接子层的厚度大于第二嫁接子层的厚度。