[发明专利]新型图形衬底的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110043633.7 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102142494A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 易贤;王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武;周瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 图形 衬底 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.新型图形衬底的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层，所述N型半导体层上设有N电极，所述P型半导体层上设有P电极，其特征在于：所述发光二极管的衬底为复合图形衬底，复合图形衬底有多个由圆台上表面挖空一个倒圆锥构成的复合图形体。
2.如权利要求1所述的新型图形衬底的发光二极管，其特征在于：复合图形衬底的圆台上表面直径为1um～1.5um，圆台下表面直径为3um～4um，高度为1um～1.5um，圆锥高度为0.25um～0.5um。
3.如权利要求2所述的新型图形衬底的发光二极管，其特征在于：复合图形衬底的圆台分布呈正方形、三角形、六边形或蜂窝状阵列，占空比为3∶1～1∶3。
4.如权利要求2所述的新型图形衬底的发光二极管，其特征在于：所述复合图形衬底为蓝宝石衬底。
5.如权利要求1所述的新型图形衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下几个步骤：
在衬底上表面旋涂一层光刻胶；
利用光刻版光刻在光刻胶上曝光复合图形阵列图案；
采用显影剂去除曝光部分光刻胶；
烘烤光刻胶使之坚固，提高光刻胶抗刻蚀能力；
利用刻蚀方法将光刻胶的复合图案传递到衬底上，在衬底上表面形成复合图形。
6.如权利要求5所述的新型图形衬底的发光二极管的制备方法，，其特征在于：光刻胶的厚度为1um～4um，曝光时间为2s～10s。
7.如权利要求5所述的新型图形衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于烘烤温度为50℃～200℃，时间为5min～40min。
8.如权利要求5所述的新型图形衬底的发光二极管的制备方法，其特征在于：刻蚀为感应耦合等离子刻蚀。
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