[发明专利]在基板上的电介质层中刻蚀特征的方法有效
| 申请号： | 201110044027.7 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102157369A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 池兵;埃里克·A·埃德尔伯格;柳川拓海 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板上 电介质 刻蚀 特征 方法 | ||
1.一种在基板上的电介质层中刻蚀特征的方法，包含：
将具有该电介质层的该基板放置到刻蚀反应室内的下电极上；
将刻蚀气体传送入该刻蚀反应室；
将具有第一频率的第一RF功率传送入该刻蚀反应室，其中该第一频率在100kHz到600kHz之间；
将具有第二频率的第二RF功率传送入该刻蚀反应室，其中该第二频率至少为10MHz；
刻蚀该电介质层以形成至少一个超高纵横比(UHAR)特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该至少一个超高纵横比最少为15比1。
3.根据权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中该至少一个超高纵横比特征的宽度不大于300纳米(nm)且该超高纵横比至少为15比1。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中该第一频率在200kHz到600kHz之间。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中该第一频率在350kHz到450kHz之间。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法，其中该第一RF功率在100W到10000W之间。
7.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法，其中该第一RF功率在500W到5000W之间。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中该第一RF功率通过电容耦合传送入该刻蚀反应室。
9.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，进一步包含：将具有第三频率的第三RF功率传送入该刻蚀反应室，其中该第三频率至少为40MHz。
10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中该电介质层是氧化硅基材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110044027.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
