[发明专利]光传感器、光传感器制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种光传感器，包括：

基板；

受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；

第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成为一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；

光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及

光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，

其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，

所述受光部含有非晶硅。

3.根据权利要求1所述的光传感器，其中，

所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面、以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面处于同一平面上。

4.根据权利要求1所述的光传感器，其中，

所述第一邻接部以及第二邻接部含有晶化硅，

所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。

5.根据权利要求1所述的光传感器，其中，

所述第一邻接部含有晶化硅，所述第二邻接部含有非晶硅。

6.根据权利要求5所述的光传感器，其中，

所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。

7.根据权利要求5所述的光传感器，其中，

所述第一邻接部掺杂有N型杂质，所述第二邻接部掺杂有P型杂质。

8.一种光传感器的制造方法，包括：

在基板上形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部，其中，受光部含有非晶半导体物质，所述第一邻接部以及所述第二邻接部与所述受光部成为一体并由所述受光部相互隔离；以及

形成与所述第一邻接部电连接的光传感器第一电极以及与所述第二邻接部电连接的光传感器第二电极，

其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶化半导体物质。

9.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中所述形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤，包括：

在所述基板上形成非晶半导体物质层；以及

所述半导体物质层中选择性地结晶化至少一个区域，其中所述区域对应于所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的光传感器的制造方法，其中，

进行所述结晶化步骤后，进行一次构图工序以形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部。

11.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，

所述受光部含有非晶硅。

12.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，

所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面被形成为处于同一平面上。

13.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，

所述第一邻接部以及第二邻接部含有晶化硅，

所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。

14.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，

所述半导体物质层含有硅，

形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤，包括：

在所述基板上形成半导体物质层；以及

在所述半导体物质层的区域中，选择性地结晶化所述第一邻接部的区域。

15.根据权利要求14所述的光传感器的制造方法，其中，

所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。

16.根据权利要求14所述的光传感器的制造方法，其中，

所述第一邻接部掺杂有N型杂质，所述第二邻接部掺杂有P型杂质。