[发明专利]钍射气室及其使用方法

权利要求书

1.一种钍射气室(100)，它包括：

有效体积为0.25-0.35m³的长方体保温密闭箱体(10)；

在所述长方体保温密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20)；

置于所述网格支架(20)上的含²³²Th放射源的²²⁰Rn发生装置(30)，以及

置于所述长方体保温密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。

2.如权利要求1所述的钍射气室(100)，其特征在于所述²²⁰Rn发生装置具有正方形薄片的形状。

3.如权利要求1所述的钍射气室(100)，其特征在于所述强制气体扩散装置(40)由一个风机和一个或多个风扇组成。

4.如权利要求1所述的钍射气室(100)，它还包括位于箱体(10)的顶面上的气体排放口(70)。

5.如权利要求1-3中任一项所述的钍射气室(100)，它还包括位于所述箱体(10)的一个侧面上的钍射气采集口(60)。

6.如权利要求1-3中任一项所述的钍射气室(100)，其特征在于所述钍射气室(100)的有效体积为0.28-0.32m³。

7.如权利要求1-3中任一项所述的钍射气室(100)，其特征在于所述钍射气室(100)具有正方体的形状。

8.一种如权利要求1-8中任一项所述的钍射气室(100)的使用方法，它包括如下步骤：

(a)按照所需²²⁰Rn气体浓度设定并控制钍射气室内温湿度条件和/或选择设置²³²Th放射源；

(b)打开强制气体扩散装置，使箱体内的²²⁰Rn与子体达到平衡状态，并分布均匀；

(c)用标准装置测量该箱体内²²⁰Rn气体的浓度；和

(d)用待刻度的设备测量该箱体内²²⁰Rn气体的浓度，得到其换算因子。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于将所述钍射气室(100)内的湿度控制在10～80％，温度控制在10～40℃，并且所述打开强制气体扩散装置使箱体内的²²⁰Rn与子体达到平衡状态所需的运行时间为30min或更长的时间。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于通过更换不同活度的²³²Th放射源来改变箱体内²²⁰Rn气体的浓度。