[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体区域；

设置在所述第一半导体区域的表面，且具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域；

贯通所述第二半导体区域并到达所述第一半导体区域的沟槽；

隔着绝缘膜设置在所述沟槽的内部的第一电极；

以与所述沟槽相接触的方式设置在所述第二半导体区域的表面层的比所述第一电极的上端深的第一凹部；

埋入所述第一凹部中的第二电极。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第一凹部设置成距所述第一电极的上端为0.05μm以上且1μm以下的深度。

3.一种半导体元件，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体区域；

选择性地设置在所述第一半导体区域的表面层，且具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域；

以覆盖所述第二半导体区域的表面的一部分的方式隔着绝缘膜而设置的第一电极；

以占据所述第一电极之下的区域的一部分的方式设置在所述第二半导体区域的表面层的第二凹部；

埋入所述第二凹部中的第二电极。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，

所述第二凹部从所述第一电极的位于该第二凹部侧的端部起算以0.05μm以上且1μm以下的宽度占据该第一电极之下的区域。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体元件，其特征在于，还具有：

设置在所述第一半导体区域的背面的第三电极；

设置在所述第一半导体区域和所述第三电极之间，且具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第三半导体区域。

6.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电型的第一半导体区域的表面形成具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域的工序；

形成贯通所述第二半导体区域并到达所述第一半导体区域的沟槽的工序；

隔着绝缘膜而将第一电极埋入所述沟槽的内部的工序；

向所述第二半导体区域的表面层选择性地导入杂质，而形成比所述第一电极的上端深且具有比该第二半导体区域高的杂质浓度的杂质区域的工序；

通过蚀刻除去所述杂质区域而形成第一凹部的工序；

将第二电极埋入所述第一凹部的内部的工序。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

以所述第一凹部与所述沟槽相接触的方式形成所述杂质区域。

8.如权利要求6或7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述杂质区域形成为距所述第一电极的上端为0.05μm以上且1μm以下的深度。

9.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电型的第一半导体区域的表面选择性地形成具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域的工序；

向所述第二半导体区域的表面层选择性地导入杂质，形成具有比该第二半导体区域高的杂质浓度的杂质区域的工序；

以覆盖所述第二半导体区域及所述杂质区域的一部分的方式隔着绝缘膜而形成第一电极的工序；

通过蚀刻除去所述杂质区域，并以占据所述第一电极之下的区域的一部分的方式形成第二凹部的工序；

将第二电极埋入所述第二凹部的内部的工序。

10.如权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第一电极形成为以0.05μm以上且1μm以下的宽度覆盖所述杂质区域的该第一电极侧的端部。

11.如权利要求6～10中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第一半导体区域的背面形成具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第三半导体区域的工序；

在所述第三半导体区域的表面形成第三电极的工序。