[发明专利]一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法无效
| 申请号： | 201110045408.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102167977A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨琴;唐政;孙放 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/89 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 水溶性 硒化物 半导体 量子 制备 方法 | ||
1.一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：
a).配制前躯体溶液：
在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节PH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，即制得所述前躯体溶液；其中，所述可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与所述稳定剂的摩尔比为1：3-1：2；
b).量子点的生长：
将所述前躯体溶液进行高温高压快速生长，制得所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。
2.如权利要求1所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤a）中所述可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液浓度为0.1-1mol/L；所述PH值为9-10；在40-100℃温度下，通入所述硒化氢气体。
3.如权利要求1所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述可溶性镉盐是Cd（Ac）2、CdCl2、CdSO4、Cd（NO3）2 或高氯酸镉；所述可溶性锌盐是Zn（Ac）2、Zn Cl2、Zn SO4、Zn（NO3）2或环烷酸锌盐；所述可溶性汞盐是Hg SO4。
4.如权利要求1所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述稳定剂是巯基酸、巯基醇、巯醇胺或巯基氨；其中，所述巯基酸是巯基乙酸、巯基丙酸、巯基异丁酸、二巯基琥珀酸、季戊四醇四-3-巯基丙酸酯或巯基丙烷磺酸；所述巯基醇是巯基乙醇、二巯基丙醇、3－巯基－2－丁醇或11-巯基-1-十一醇；所述巯醇胺是巯基乙胺或巯乙酰胺；所述巯基氨是半胱氨酸或巯基丙氨酸。
5.如权利要求1所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中得到的Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的粒径为1.6-9.5nm。
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