[发明专利]双重图形化的纳米压印模具及其形成方法有效
| 申请号： | 201110045414.2 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102650822A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B29C59/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双重 图形 纳米 压印 模具 及其 形成 方法 | ||
1.一种双重图形化的纳米压印模具的形成方法，包括：
提供基底、覆盖所述基底的第一图案层、以及覆盖所述第一图案层的第二图案层；
在所述第二图案层表面形成图形化的第一牺牲层，所述图形化的第一牺牲层定义出第一凸台图形；
以图形化的第一牺牲层为掩膜刻蚀第二图案层，暴露出所述第一图案层，并去除第一牺牲层；
形成覆盖所述第一图案层和第二图案层的第二牺牲层；
在所述第二牺牲层表面形成图形化的第三牺牲层，所述图形化的第三牺牲层定义出第二凸台图形；
以图形化的第三牺牲层为掩膜刻蚀第二牺牲层和第一图案层，暴露出所述基底；
去除图形化的第三牺牲层和第二牺牲层，形成第一凸台和第二凸台。
2.如权利要求1所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，所述第一图案层的材料为GaAs。
3.如权利要求1所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，所述第二图案层的材料为AlGaAs。
4.如权利要求1所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，所述去除未被第一牺牲层覆盖的第二图案层的形成工艺为干法刻蚀。
5.如权利要求4所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体为Cl2和Ar。
6.如权利要求1所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，刻蚀第二牺牲层和第一图案层的形成工艺为干法刻蚀。
7.如权利要求6所述的双重图形化的纳米压印模具的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体为BCl3、SF6、N2和He。
8.一种如权利要求1形成的双重图形化的纳米压印模具，包括：各自独立的第一凸台、第二凸台和/或相互叠加的第一凸台和第二凸台。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110045414.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法
- 下一篇：对夹式金属硬密封保温蝶阀
