[发明专利]测试发光二极管晶粒的方法

说明书

技术领域

本发明相关于一种测试发光二极管晶粒的方法，尤指一种利用发光二极管晶粒的电性差异来估算光学数值的测试发光二极管晶粒的方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由P-N接合半导体构成，当电流从P侧流向N侧随即发光，可高效率的将电能转换成光源。发光二极管的制造流程为先制备发光二极管晶片(wafer)，将晶片切割为发光二极管晶粒(die)之后，重新排列在输送带上，以两端探针接触单一发光二极管晶粒的P型电极与N型电极，测试其是否发光之后，再移动探针并测试下一颗发光二极管晶粒，故测试时是以逐一点测方式测试每一发光二极管晶粒，测试时间冗长。接下来将每一发光二极管晶粒个别放置在基板(或导线架)上，打线电性连接发光二极管晶粒与基板(或导线架)，再以透明树脂或玻璃盖密封发光二极管晶粒，最后再测试一次已封装后的发光二极管晶粒。

关于发光二极管的光学特性的测试方法，根据国际照明协会(CIE)公布的「CIE-127 Measurements of LEDs」规定，在量测发光二极管的光强度(mcd)时，须将发光二极管的几何轴中心对准感测器，并使发光二极管与感测器之间保持100mm的距离，并且感测器接受光的直径为11.3mm，量测全光通量(total luminous flux)时为所发光角度的能量总和，在这些限制条件下，为了能够准确量测光度学参数CIE(x，y)、主波长λD、峰值波长λp、纯度(purity)、半峰全宽(full width at half maximum，FWHM)和光强度IV等等，通常发光二极管的光学特性的测试方法包含步骤：第一，当发光二极管输送至第一测试点后，会被点亮发光，使发光二极管光束射出；第二，发光二极管光束射入第一测试点所设置的第一测试装置内，以进行第一项测试，待测试完毕后，发光二极管会被熄灭，并送往第二测试点；第三，当发光二极管输送至第二测试点后，会再度被点亮发光，以使发光二极管光束射出；第四，当发光二极管光束射入第二测试点所设置的第二测试装置后，便进行第二项测试，待测试完毕后，发光二极管会被熄灭，并送往下一个测试点。

发光二极管晶粒在做点测时需量测电性以及光学特性，由于量测电性时反应速度较快，且不需使用任何演算法就可以获得正确与稳定的量测数值，但量测光学特性时就需根据发光二极管晶粒的特性来设定晶粒稳定时间、光学量测系统的曝光时间以及运算校正的系统函数演算法来取得稳定的量测数值，故发光二极管晶粒的量测光学特性的时间约占总量测时间的1/3～1/2时间。然而，目前发光二极管磊晶厂的磊晶机已由4英寸进展成6英寸，若以10x24密耳(mil)的晶粒为例，一片晶片所需点测的数量也由5万多颗晶粒变成10万多颗晶粒，因此发光二极管晶粒测试机台的点测效率实为急需改善的首要问题。

发明内容

因此，本发明的一目的在于提供一种测试发光二极管晶粒的方法，其可以有效提升测试发光二极管晶粒的效率。

本发明提供一种测试发光二极管晶粒的方法，包含：量测一第一发光二极管晶粒所产生的光线，并记录一第一光学数值；量测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出一第一内阻值；量测一第二发光二极管晶粒的电性，以计算出一第二内阻值；比较该第一内阻值与该第二内阻值，以计算出一内阻差值；以及根据该内阻差值以及该第一光学数值计算出一第二光学数值，并记录该第二光学数值作为该第二发光二极管晶粒所产生的光线的光学数值。

其中，测该第一发光二极管晶粒的电性，以计算出该第一内阻值包含：量测该第一发光二极管晶粒以一第一预设电流驱动时的电压值；量测该第一发光二极管晶粒以一第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第一发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第一内阻值。

测该第二发光二极管晶粒的电性，以计算出该第二内阻值包含：量测该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动时的电压值；量测该第二发光二极管晶粒以该第二预设电流驱动时的电压值；以及根据该第二发光二极管晶粒以该第一预设电流驱动以及该第二预设电流驱动时的电压差值，计算该第二内阻值。

优选的，第一预设电流小于等于10微安培，该第二预设电流大于等于10毫安培。

其中，第一发光二极管晶粒为一最佳样品的发光二极管晶粒或者邻近于该第二发光二极管晶粒。

其中，第一光学数值以及该第二光学数值分别包含波长值。

其中，第一光学数值以及该第二光学数值分别包含亮度值。