[发明专利]一种四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法，包括如下具体步骤：

在氩气气氛中，将钴片放置于加热容器中进行热处理，所述氩气气氛，是指在制备过程中用纯度为99.9％的纯氩气，以20ml/min的速率通入预先不抽真空的反应容器中，在该气氛中，含有通过加热水而补充入气路的水蒸气，加热水温为30～90℃，从而得到四氧化三钴纳米杆状结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理过程如下：以200℃/h的速率，将反应器的温度从室温升到加热温度，加热温度范围为500～530℃，并在此温度保持2～10h，之后以200℃/h或者自然降温至室温。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯氩气的流速在加热过程中为20ml/min。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钴片为工业用电解钴，使用前需经过如下处理：用砂纸将其表面抛光，利用去离子水冲洗后，再依次利用去离子水和乙醇进行超声清洗。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热容器，是温度可控、气氛可调的管式炉。