[发明专利]一种Ω形鳍片的制备方法有效
| 申请号： | 201110046371.X | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102651305A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞;宋毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形鳍片 制备 方法 | ||
1.一种Ω形鳍片的制备方法，包括：
在半导体衬底上形成介质层；
刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；
在所述鳍片的侧壁形成侧墙；
进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片；
在所述Ω形鳍片的下方和凹槽的底部形成隔离介质层，
其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介质层包括SiO2、TEOS或Si3N4。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍片的宽度为10-60nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述鳍片的侧壁形成侧墙的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成第二介质层；
刻蚀所述第二介质层以形成侧墙。
5.根据权利要求1所述的方法，所述刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片的步骤包括：
采用各向同性的刻蚀方法进一步刻蚀所述凹槽以使所述凹槽进一步延伸到所述半导体衬底中，同时凹槽向鳍片底部延伸，控制刻蚀工艺以保证在鳍片底部仍保留一部分衬底不被刻蚀，在鳍片底部形成一部分较窄的硅条，最终形成Ω形鳍片。
6.根据权利要求1所述的方法，所述隔离介质层包括填充介质层，所述在所述Ω形鳍片和凹槽的下方的形成隔离介质层的步骤包括：
在半导体衬底上形成填充介质层；
进一步CMP和回刻填充介质层将Ω形鳍片上半部分露出，而较窄的下半部分仍被填充介质层包裹，从而在凹槽的底部留有一层填充介质层形成隔离介质层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述隔离介质层的厚度为50-300nm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述半导体衬底为体硅衬底。
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