[发明专利]用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种用薄膜密封的有机发光二极管(OLED)，其特征在于，包括：

基板；

基板上依次形成的透明电极层、有机发光材料层和阴极金属层；

阴极金属层上形成的密封层；

所述密封层为五氧化二钽(Ta₂O₅)薄膜。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：

所述五氧化二钽薄膜的厚度为50nm～500nm。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括：

柔性塑料薄膜、片状PC塑料或玻璃；

所述柔性塑料薄膜、片状PC塑料或玻璃通过紫外固化环氧固化剂与五氧化二钽薄膜面胶合、形成柔性的或刚性的(OLED)器件。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：

所述有机发光材料层为单发光层结构，或多色发光层叠加的层状结构。

5.一种采用薄膜密封的有机发光二极管制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在基板上依次形成透明电极层、有机发光材料层和阴极金属层；

在阴极金属层上形成五氧化二钽薄膜。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：

采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜工艺具体为：

使用射频磁控溅射直接溅射五氧化二钽氧化物靶材。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜工艺具体为：

使用直流或中频磁控溅射在含氧气氛中溅射钽金属靶材。

9.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：

在室温下采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。

10.根据权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：

采用真空镀膜工艺形成所述透明电极层和阴极金属层；

透明电极层形成后，采用真空镀膜工艺，或导入常压干燥氮气中、采用溶液涂覆工艺形成所述有机发光材料层。